一种氮化镓晶体管的测试系统技术方案

技术编号:41364098 阅读:2 留言:0更新日期:2024-05-20 10:12
本技术公开了一种氮化镓晶体管的测试系统,包括:多个驱动电路和多个控制电路,其中,多个驱动电路之间通过级联耦接在一起,驱动电路被配置为基于输入信号产生高压脉冲信号;每一控制电路与对应的驱动电路的输出端连接,被配置为在待测晶体管耦接控制电路时,基于高压脉冲信号产生测试信号并输出至待测晶体管的漏极,控制待测晶体管的栅极与源极短路,进行每一待测晶体管的反向偏压应力测试;即本申请能够进行同一尖峰电压的批量测试,提高测试效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路,特别是涉及一种氮化镓晶体管的测试系统


技术介绍

1、在集成电路的应用过程中,对于各类器件的测试,通常是采用特定的测试系统进行测试。

2、在实际操作过程中,本申请的研发人员发现,对于功率器件的测试,尤其是对于氮化镓(gan)晶体管的测试,因为产量大,单个测试耗费时间长,而传统的批量测试中,每一待测晶体管所承受的尖峰电压不同,灵活性较差,影响测试效率。


技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种氮化镓晶体管的测试系统,能够进行同一尖峰电压的批量测试,提高测试效率。

2、为解决上述技术问题,本申请采用的一种技术方案是:提供一种氮化镓晶体管的测试系统,包括:多个驱动电路和多个控制电路,其中,多个所述驱动电路之间通过级联耦接在一起,所述驱动电路被配置为基于输入信号产生高压脉冲信号;每一所述控制电路与对应的所述驱动电路的输出端连接,被配置为在待测晶体管耦接所述控制电路时,基于所述高压脉冲信号产生测试信号并输出至所述待测晶体管的漏极,控制所述待测晶体管的栅极与源极短路,进行每一所述待测晶体管的反向偏压应力测试。

3、区别于当前技术,本申请提供的氮化镓晶体管的测试系统,包括多个驱动电路和多个控制电路,其中,多个驱动电路之间通过级联耦接在一起,驱动电路被配置为基于输入信号产生高压脉冲信号;每一控制电路与对应的驱动电路的输出端连接,被配置为在待测晶体管耦接控制电路时,基于高压脉冲信号产生测试信号并输出至待测晶体管的漏极,控制待测晶体管的栅极与源极短路,进行每一待测晶体管的反向偏压应力测试。即本申请的技术方案将多个驱动电路级联耦接在一起,能够使得每一待测晶体管所承受的尖峰电压相同,进而进行同一尖峰电压的批量测试,简化测试流程,降低成本,提高测试效率。

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【技术保护点】

1.一种氮化镓晶体管的测试系统,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的测试系统,其特征在于,所述测试系统还包括:

3.根据权利要求2所述的测试系统,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的测试系统,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的测试系统,其特征在于,所述驱动电路包括:

6.根据权利要求5所述的测试系统,其特征在于,所述脉冲单元包括:

7.根据权利要求6所述的测试系统,其特征在于,所述第一脉冲元件进一步包括:

8.根据权利要求1所述的测试系统,其特征在于,还包括:

9.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述电源电路包括:

10.根据权利要求9所述的测试系统,其特征在于,还包括:

11.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述电源电路为多个,多个所述电源电路通过级联耦接在一起,其中,每一所述电源电路对应不同的电路板,使每一所述电源电路耦接不同行电路板的至少一所述驱动电路和对应的控制电路。

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓晶体管的测试系统,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的测试系统,其特征在于,所述测试系统还包括:

3.根据权利要求2所述的测试系统,其特征在于,

4.根据权利要求3所述的测试系统,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的测试系统,其特征在于,所述驱动电路包括:

6.根据权利要求5所述的测试系统,其特征在于,所述脉冲单元包括:

7.根据权利要求6所述的测试系统,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:张建山许亚坡杨青海
申请(专利权)人:湖南三安半导体有限责任公司
类型:新型
国别省市:

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