一种CVD反应腔室制造技术

本技术涉及半导体制造设备领域，为一种CVD反应腔室，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道。腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；分支管道设置于所述管道安装槽内。分支管道连通喷淋头和喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置。所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。本技术能够提高对反应腔室内的晶圆承载台底下的薄膜或整个反应腔室底部的薄膜的清洗效果，可以大幅度提高CVD反应腔室的洁净度，减少CVD反应腔室在下批次的薄膜制作工艺中对晶圆的污染，同时能提高整个机台的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造设备领域，具体涉及一种cvd工艺的机台。

技术介绍

1、芯片制造工厂，对制造区域的洁净等级要求有着较为严格的控制。随着芯片的特征尺寸不断的减小，制造环境中任何环境的颗粒污染源都能影响着最终芯片的制造良率。单纯的通过维持或提高制造区域空气的洁净等级，对芯片厂的整体运营成本会有较大的压力。另外，影响芯片良率的污染源并不单纯来源于制造环境，也有可能来源于制造设备本身。

2、cvd设备是半导体制作工艺中，用来在晶圆表面淀积薄膜的设备。例如，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备，这也是cvd设备中的一种，通常用于在诸如晶圆表面上沉积薄膜。pecvd设备在运行一段时间后，其反应腔室内壁及腔室内的晶圆反应处会沉积预定厚度的硅膜(包括本征/掺杂硅膜多晶硅/非晶硅等)层，此时通常会对这种cvd设备进行清洗，以去除上述反应腔室内的膜层，减少机台设备内部的污染源。

3、现有的清洗工艺主要有化学清洗、原位等离子体清洗、远程等离子体(remoteplasma source，rps)清洗等。远程等离子体清洗是利用氟化氮(nf3)气体在等离子体作用下离化为f-、f*等活性离子或电浆，具有高能量的这些基团和二氧化硅、氮化硅等反应，形成挥发相氟化硅，从而清除工艺过程中在腔室除衬底表面其余部位的二氧化硅、氮化硅薄膜残余积累，达到腔室清洗的效果。

4、目前这种清洗方式，发现不容易将反应腔室内的残留的反应膜层清洗干净，仍会较大概率对后续在此反应腔室淀积薄膜的晶圆造成污染，从而影响晶圆的良率。也会降低此类反应腔室作为反应腔室的利用率，从而整体降低机台设备的工艺能力产出。

5、本
技术实现思路

6、为解决现有技术所存在的技术问题，本技术提供一种cvd反应腔室，能够提高对反应腔室内的晶圆承载台底下的薄膜或整个反应腔室底部的薄膜的清洗效果，保证半导体工艺反应腔室的清洁度，延长设备维护周期，减少设备后期维护成本。

7、本技术可以通过采取如下技术方案达到：

8、一种cvd反应腔室，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道；所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，所述喷淋头设置在所述上腔室本体，所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体；所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置；所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。

9、优选的技术方案中，所述喷淋头与所述喷嘴连通的分支管道的一共接处设有隔离阀，隔离阀在第一操作下，可关闭分支管道通往所述喷嘴的介质。

10、优选的技术方案中，所述密封连接部件为vcr或密封圈，所述上腔室的分支管道与所述下腔室的分支管道通过所述vcr或密封圈连接。

11、优选的技术方案中，所述喷嘴与所述分支管道的连接方式为螺纹旋转，所述分支管道与所述喷嘴之间设有特氟龙垫片。

12、优选的技术方案中，所述喷嘴的数量为多个。

13、优选的技术方案中，所述密封圈为全氟密封圈。

14、优选的技术方案中，所述隔离阀与rps系统连接，所述介质从rps系统进入分支管路。

15、本技术与现有技术相比，具有如下优点和有益效果：

16、本技术提供一种cvd反应腔室，通过在上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；分支管道部分设置于管道安装槽内，分支管道连通喷淋头和喷嘴；同时通过喷淋头和喷嘴对整个反应腔的上部和下部均可进行清洗，包括晶圆承载台的下方。这种cvd反应腔室的清洗方式，可以大幅度提高cvd反应腔室的洁净度，减少cvd反应腔室在下批次的薄膜制作工艺中对晶圆的污染，同时能提高整个机台的利用率。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种CVD反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道；所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，所述喷淋头设置在所述上腔室本体，所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体；所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；所述分支管道部分设置于所述管道安装槽内，所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置；所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。

2.根据权利要求1所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述喷淋头与所述喷嘴连通的分支管道的一共接处设有隔离阀，所述隔离阀在第一操作下，可关闭分支管道通往所述喷嘴的介质。

3.根据权利要求2所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述密封连接部件为VCR或密封圈，所述上腔室的分支管道与所述下腔室的分支管道通过所述VCR或密封圈连接。

4.根据权利要求2所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述喷嘴与所述分支管道的连接方式为螺纹旋转，所述分支管道与所述喷嘴之间设有特氟龙垫片。

5.根据权利要求2所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述喷嘴的数量为多个。

6.根据权利要求3所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述密封圈为全氟密封圈。

7.根据权利要求2所述的一种反应腔室，其特征在于，所述隔离阀与RPS系统连接，所述介质从RPS系统进入分支管路。

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【技术特征摘要】

1.一种cvd反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道；所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，所述喷淋头设置在所述上腔室本体，所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体；所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；所述分支管道部分设置于所述管道安装槽内，所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置；所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。

2.根据权利要求1所述的一种cvd反应腔室，其特征在于，所述喷淋头与所述喷嘴连通的分支管道的一共接处设有隔离阀，所述隔离阀在第一操作下，可关闭分支管道通往所述喷嘴的介质。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇彬，
申请(专利权)人：广州增芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：