一种CVD反应腔室制造技术

本技术涉及半导体制造设备领域，为一种CVD反应腔室，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道。腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；分支管道设置于所述管道安装槽内。分支管道连通喷淋头和喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置。所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。本技术能够提高对反应腔室内的晶圆承载台底下的薄膜或整个反应腔室底部的薄膜的清洗效果，可以大幅度提高CVD反应腔室的洁净度，减少CVD反应腔室在下批次的薄膜制作工艺中对晶圆的污染，同时能提高整个机台的利用率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体制造设备领域，具体涉及一种cvd工艺的机台。

技术介绍

1、芯片制造工厂，对制造区域的洁净等级要求有着较为严格的控制。随着芯片的特征尺寸不断的减小，制造环境中任何环境的颗粒污染源都能影响着最终芯片的制造良率。单纯的通过维持或提高制造区域空气的洁净等级，对芯片厂的整体运营成本会有较大的压力。另外，影响芯片良率的污染源并不单纯来源于制造环境，也有可能来源于制造设备本身。

2、cvd设备是半导体制作工艺中，用来在晶圆表面淀积薄膜的设备。例如，等离子体增强化学气相沉积(pecvd)设备，这也是cvd设备中的一种，通常用于在诸如晶圆表面上沉积薄膜。pecvd设备在运行一段时间后，其反应腔室内壁及腔室内的晶圆反应处会沉积预定厚度的硅膜(包括本征/掺杂硅膜多晶硅/非晶硅等)层，此时通常会对这种cvd设备进行清洗，以去除上述反应腔室内的膜层，减少机台设备内部的污染源。

3、现有的清洗工艺主要有化学清洗、原位等离子体清洗、远程等离子体(remoteplasma source，rps)清洗等。远程等离子体清洗是利用氟化氮(nf3)气体在本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种CVD反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道；所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，所述喷淋头设置在所述上腔室本体，所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体；所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；所述分支管道部分设置于所述管道安装槽内，所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置；所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。

2.根据权利要求1所述的一种CVD反应腔室，其特征在于，所述喷淋头与所述喷嘴连通的分支管道的一共接处设有隔离阀，所述隔离阀...

【技术特征摘要】

1.一种cvd反应腔室，其特征在于，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道；所述腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，所述喷淋头设置在所述上腔室本体，所述晶圆承载台设置于所述下腔室本体；所述上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；所述分支管道部分设置于所述管道安装槽内，所述分支管道连通所述喷淋头和所述喷嘴，所述喷嘴设置于靠近所述晶圆承载台下部的位置；所述位于上腔室本体的分支管道与所述位于下腔室本体的分支管道连接处设有密封连接部件。

2.根据权利要求1所述的一种cvd反应腔室，其特征在于，所述喷淋头与所述喷嘴连通的分支管道的一共接处设有隔离阀，所述隔离阀在第一操作下，可关闭分支管道通往所述喷嘴的介质。...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈勇彬，
申请(专利权)人：广州增芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：