本技术涉及半导体制造设备领域，为一种CVD反应腔室，包括：腔室本体、喷淋头、晶圆承载台、喷嘴、管道安装槽、分支管道。腔室本体包括上腔室本体和下腔室本体，上腔室本体和下腔室本体均设置有管道安装槽；分支管道设置于所述管道安装槽内。分支管道连...

本发明提供了浅沟槽制备方法、浅沟槽隔离结构制备方法、半导体器件；该方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上沿背离硅衬底的方向依次形成垫二氧化硅层与氮化硅层；在氮化硅层和垫二氧化硅上形成图形化的第一掩模层；其中，第一掩模层包括第一窗口区和阻挡区；...

本发明提供了一种浅沟槽隔离单元及其制备方法、半导体器件及其制备方法，该浅沟槽隔离单元的制备方法通过在衬底上形成具有预设的台阶高度的浅沟槽隔离结构，并在浅沟槽隔离结构的隔离层上形成氮化硅保护层；利用该氮化硅保护层来保护隔离层，使得隔离层在...

本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有栅极结构和源漏区，源漏区形成有西格玛沟槽；对西格玛沟槽的表面进行刻蚀，以去除表面形成的自然氧化层；将去除自然氧化层后的衬底在保持真空的条件下移入外延腔室，外延腔室通入有...

本发明涉及半导体制造技术领域，为一种半导体制程中的刻蚀方法，所述刻蚀方法的刻蚀对象为晶圆，刻蚀图案包括第一区域和第二区域，所述刻蚀图案的第一区域具有第一图形密度值，所述刻蚀图案的第二区域具有第二图形密度值；所述第一图形密度值大于所述第二...