半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种分散由密封树脂封装化的半导体装置中的构成材料彼此之间的热应力，并且抑制半导体芯片的弯曲而提高该芯片彼此的平坦度，从而提高可靠性。半导体装置具有：多个半导体芯片（３Ａ、３Ｂ）；在上表面保持多个半导体芯片的芯片焊盘（２）；作为多个半导体芯片的电极的引线框（１）；将多个半导体芯片、芯片焊盘及引线框的内侧部分密封的密封树脂材料（７）。芯片焊盘具有以比该芯片焊盘上所保持的第一半导体芯片（３Ａ）面积小的区域向上方且呈平面状突出的上台部（２ａ），上台部和第一半导体芯片通过粘结膏（４）粘结，除了芯片焊盘的上台部之外的部分由弹性比密封树脂材料小的缓冲树脂材料（８）覆盖。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及将至少一个半导体芯片密封在封装件中的半导体装置。
技术介绍
目前，标准化的表面安装型的半导体封装体为，半导体芯片通过管芯焊接而被固 定安装在由铜(Cu)合金或铁镍(Fe-Ni)系合金构成的引线框的芯片焊盘部分上，半导体芯 片中的焊接区(电极焊盘)和引线框中的引线部分的前端通过由金(Au)等构成的金属细 线而引线接合，进而用具有规定形状的金属模进行树脂模制而构成。 近年来，LSI (large scale integration ;大规模集成)装置的发展，存储器部分和 逻辑部分之间的混装或模拟部分和数字部分的混装迅速地开展，其结果，市场的成本竞争 进一步加剧。仅仅通过单芯片化的芯片扩散工艺来实现混装化，如今在市场竞争中已不是 有利的条件。 因此，选择最合适的芯片形态，将多个半导体芯片进行单封装化的方法，与通过混 装进行单芯片化相比，提高效益的可能性升高。作为其例子，已有多芯片型的半导体装置。 图8表示以往的层叠了多个半导体芯片的多芯片型的半导体装置中的主要部分 的截面结构。如图8所示，多芯片型的半导体装置具有多个引线框101 ;在该多个引线框 101包围的区域中所配置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体芯片；保持所述半导体芯片的芯片焊盘；引线框；将所述半导体芯片、所述芯片焊盘以及所述引线框的内侧部分密封的密封树脂材料，所述芯片焊盘具有以比所述半导体芯片的面积小的区域向上方且呈平面状突出的上台部，所述芯片焊盘中的除了所述上台部以外的部分由弹性小于所述密封树脂材料的缓冲树脂材料覆盖。

【技术特征摘要】
JP 2008-10-29 2008-278088;JP 2009-3-25 2009-073699一种半导体装置，其特征在于，具有半导体芯片；保持所述半导体芯片的芯片焊盘；引线框；将所述半导体芯片、所述芯片焊盘以及所述引线框的内侧部分密封的密封树脂材料，所述芯片焊盘具有以比所述半导体芯片的面积小的区域向上方且呈平面状突出的上台部，所述芯片焊盘中的除了所述上台部以外的部分由弹性小于所述密封树脂材料的缓冲树脂材料覆盖。2. 如权利要求l所述的半导体装置，其特征在于，所述缓冲树脂材料添加有由导热系数高的无机材料或金属构成的粒子。3. —种半导体装置，其特征在于，具有 半导体芯片；保持所述半导体芯片的芯片焊盘； 引线框；将所述半导体芯片、所述芯片焊盘以及所述引线框的内侧部分密封的密封树脂材料， 所述芯片焊盘具有以比所述半导体芯片面积小的区域向上方且呈平面状突出的上台部；形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤元昭，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]