一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法技术

本发明专利技术公开了一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，此种方法能够将B规的碳化硅外延片改善为A级规格，有效的提高生产效率，降低生产成本。包含以下步骤：S101、选用预加工的外延片：选用B规碳化硅外延片；S102、制备多孔碳化硅：在电镀机中施加特定电压，将碳化硅外延片缺陷转化为多孔碳化硅；电镀机操作电压在10‑50V,0.1‑1A,5‑30分；S103、转化处理：将多孔碳化硅送入高温炉管进行转化处理，並转化成外延二氧化硅片，作业条件为高温炉管的温度在1150℃‑1200℃，加热时间在1‑2小时；S104、氢氟酸表面处理：将S103中得到的外延二氧化硅片在氢氟酸槽中刻蚀去除，得到符合A规的碳化硅外延片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅外延片，具体为一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法。

技术介绍

1、碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶衬底上，必须在单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。

2、碳化硅外延片的缺陷有很多种，因为晶体的不同所以它的缺陷和其它一些晶体的也不太一样，缺陷主要包括微管、三角形缺陷、表面的胡萝卜缺陷，还有一些特有的如台阶聚集等；而碳化硅外延片上的很多缺陷都是从碳化硅衬底中直接复制过来的，所以说碳化硅衬底的质量和加工水平，对碳化硅外延层的生长缺陷控制是非常重要的，而在碳化硅外延片的加工过程中，由于晶体本身堆积断层(stack fault)导致外延制造时产生缺陷，因此难以将外延硅片平整化且达到a级规格，大多数碳化硅外延片只能符合b规的碳化硅质量。

3、目前，业界存在通过研磨抛光来改善碳化硅外延片表面缺陷，但是，该工艺的时间较长，且制造碳化硅外延片的成本较高。由此，本申请提供一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，为高质量碳化硅外延片的生产提供新的方向与可能。

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【技术保护点】

1.一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，其特征在于：包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，其特征在于：所述电镀机包括电源供应器(2)、阴极(3)、电解质(4)、阳极(5)，在电镀机内部设置有容纳碳化硅外延片(1)的容腔，所述容腔(1)内设有有电解质(4)，容腔(1)的顶部设置有能够与碳化硅外延片(1)上表面接触的阴极(3)，容腔(1)底部设置有能够与碳化硅外延片(1)下表面接触的阳极(5)，阴极(3)和阳极(5)均与电源供应器(2)连接。

3.根据权利要求1所述的一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，其特征在于...

【技术特征摘要】

1.一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，其特征在于：包含以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，其特征在于：所述电镀机包括电源供应器(2)、阴极(3)、电解质(4)、阳极(5)，在电镀机内部设置有容纳碳化硅外延片(1)的容腔，所述容腔(1)内设有有电解质(4)，容腔(1)的顶部设置有能够与碳化硅外延片(1)上表面接触的阴极(3)，容腔(1)底部设置有能够与碳化硅外延片(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：施逸廷，苏振玮，涂婳，
申请(专利权)人：浙江厚积科技有限公司，
类型：发明
国别省市：