本发明公开了一种应用电镀机改善碳化硅外延片缺陷的方法，此种方法能够将B规的碳化硅外延片改善为A级规格，有效的提高生产效率，降低生产成本。包含以下步骤：S101、选用预加工的外延片：选用B规碳化硅外延片；S102、制备多孔碳化硅：在电镀机...

本实用新型提供的一种光电结合的CMP用研磨垫，包括：一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述...

本发明提供的利用Bow与TTV差值于再生晶圆制作超平坦芯片的方法，所述再生晶圆具有相对设置的第一表面与第二表面，包括以下步骤：选取再生晶圆，量测再生晶圆的Bow值与TTV值；根据量测的Bow值与TTV值，计算出再生晶圆TTV与Bow的差...

本发明提供的一种光电结合的CMP用研磨垫，包括：一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二...

本发明提供的利用再生晶圆的翘曲度来制作超平坦芯片的系统，所述再生晶圆具有相对设置的一第一表面与一第二表面，其特征在于，所述系统包括：低损研磨单元，包含一研磨垫与一研磨头，所述再生晶圆在经过低损研磨之后会在第二表面上形成向第二表面方向凹陷...

本发明提供的一种光电结合的化学机械抛光设备与相应的方法，用以对硅片进行研磨，包括：一用以吸附硅片的真空吸盘，所述真空吸盘可带动硅片发生转动运动；一用以提供电压与电流的电源，所述电源接入真空吸盘并作用于硅片；一用以承载研磨垫的基座，所述基...

本发明提供的一种硅晶片的抛光系统与相应的抛光方法，包括：一用以吸附硅晶片的真空吸具，所述真空吸具可进行抽气或者喷气并在其内部形成负气压或者正气压；一贴合设置在真空吸具内的具有弹性的隔离层，所述隔离层上设置有供空气通过的气孔；一环绕设置在...

本发明提供的一种IGBT用硅晶片的制备方法，通过依次进行的制备CZ硅片步骤、制备扩散片步骤、制备堆叠扩散片组步骤、单边扩散处理步骤、NTD处理步骤、表面处理步骤，由此对CZ方式获得的硅片进行磷杂质扩散与中子嬗变处理之后，可以获得复合IG...

本发明提供的一种用于具有光滑表面的圆片的非真空夹持装置，用以将圆片与支撑圆片的载体进行分离并夹持，所述非真空夹持装置包括：一直线模组，用以支撑和引导夹持部件并使其按给定的方向做出往复运动；夹持部件，具有：一用以容纳圆片的支持盘体；数个均...