一种光电结合的CMP用研磨垫及其制作方法技术

本发明专利技术提供的一种光电结合的CMP用研磨垫，包括：一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二容置区域用以设置或者露出金属件，所述金属件与发光灯条之间不发生干涉。本发明专利技术利用光电场效应，提高研磨效率，并且通过合理的棋盘状的结构，分配金属件的露出面积与研磨面积，避免二氧化硅的沉积，保证SiC的抛除，提高抛光效率。提高抛光效率。提高抛光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种光电结合的CMP用研磨垫及其制作方法


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，尤其是涉及一种光电结合的CMP用研磨垫。

技术介绍

[0002]化学机械研磨简称CMP，是现今最为广泛使用的硅片平坦化方式，其中单晶硅片制造过程和前半制程中需要多次用到化学机械抛光技术，与此前普遍使用的机械抛光相比，化学机械抛光能使硅片表面变得更加平坦，并且还具有加工成本低及加工方法简单的优势，因而成为目前最为普遍的半导体材料表面平整技术。
[0003]在CMP的制程中，需要通过研磨垫实现对硅片的研磨抛光，因此，研磨垫的质量对硅片的平整质量起到关键作用，目前的研磨垫材料的耐磨性能有限，消耗量过大，导致研磨成本很高，且抛光效率较差，难以满足市场需求。

技术实现思路

[0004]本专利技术是为了解决现有技术存在的空白之处，提供一种光电结合的CMP用研磨垫与相应的制作方法。
[0005]本专利技术解决技术问题采用如下技术方案：一种光电结合的CMP用研磨垫，包括：
[0006]一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二容置区域用以设置或者露出金属件，所述金属件与发光灯条之间不发生干涉。
[0007]在数个实施方式中，所述基垫由以下质量百分比的组分发泡成型：10％
‑
30％的氧化铈粉、60
‑
85％的聚氨酯、5％
‑
10％的助剂。
[0008]在数个实施方式中，所述助剂包括二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂。
[0009]在数个实施方式中，所述第一容置区域与第二容置区域均为在基垫的一个端面下凹设置的槽体，相邻的所述第一容置区域与第二容置区域之间存在间隔，位于同一直线上的所述第一容置区域连续设置，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置。
[0010]在数个实施方式中，所述第一容置区域为在基垫的一个端面上下凹设置的沟槽，所述第二容置区域为贯穿基垫的孔体，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置，所述第二容置区域的两端延伸至相邻两侧的第一容置区域。
[0011]在数个实施方式中，光电结合的CMP用研磨垫采用以下制作方法成型：
[0012]S100：选取定量的聚氨酯搅拌之后，对其进行发泡处理形成混合溶胶，在混合溶胶内加入定量的氧化铈粉与助剂并混合均匀后通入模具内进行成型冷却，获得基垫；
[0013]S200：对基垫按照十字纹路进行切割形成下凹的槽体，其中纵向分布的槽体连续切割成型，横向分布的槽体则点状式间隔切割成型，由此构成第一容置区域与第二容置区域的切割成型；
[0014]S300：在构成的第一容置区域内铺设发光灯条，在构成的第二容置区域内铺设金属件，得到光电结合的CMP用研磨垫。
[0015]在数个实施方式中，光电结合的CMP用研磨垫采用以下制作方法成型：
[0016]S100：选取定量的聚氨酯搅拌之后，对其进行发泡处理形成混合溶胶，在混合溶胶内加入定量的氧化铈粉与助剂并混合均匀后通入模具内进行成型冷却，获得基垫；
[0017]S200：对基垫按照十字纹路进行切割形成下凹的槽体，所述槽体交错分布，且对其中横向分布的槽体进行贯穿开孔处理，由此构成第一容置区域与第二容置区域的切割成型；
[0018]S300：在基垫的正面构成的第一容置区域内铺设发光灯条，并在基垫的背面固定金属件，金属件完全覆盖基垫的背面，由此得到光电结合的CMP用研磨垫。
[0019]本专利技术具有如下有益效果：
[0020]本专利技术采用物理发泡，研磨垫泡孔均匀，具有良好耐磨性、耐腐蚀性，保证晶圆表面轮廓突出部分高效平坦化并减少划伤。且氧化铈能够提高研磨垫耐磨性能，使研磨垫更加均匀、紧密，更适用于SiC研磨抛光。
[0021]本专利技术利用光电场效应，提高研磨效率，并且通过合理的棋盘状的结构，分配金属件的露出面积与研磨面积，避免二氧化硅的沉积，保证SiC的抛除，提高抛光效率。
附图说明
[0022]本文所描述的附图仅用于所选择实施例的阐述目的，而不代表所有可能的实施方式，且不应认为是本专利技术的范围的限制。
[0023]图1示意性的示出了一实施例中一种光电结合的CMP用研磨垫框图；
[0024]图2示意性的示出了一实施例中低损研磨单元与低损抛光单元的结构；
[0025]图3示意性的示出了图2中低损抛光单元的俯视结构。
具体实施方式
[0026]下面，详细描述本专利技术的实施例，为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0027]因此，以下提供的本专利技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本专利技术的范围，而是仅仅表示本专利技术的选定实施例，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0028]本文使用的术语旨在解释实施例，并且不旨在限制和/或限定本专利技术。
[0029]本专利技术提供的研磨垫，用于CMP制程，主要用以配合研磨头对硅晶片的表面进行研磨抛光。
[0030]该光电结合的CMP用研磨垫，主体为呈圆盘状结构的基垫10，适配硅晶片的形状，在基垫10上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域11与第二容置区域12，所述第一容置区域11与第二容置区域12将基垫10的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部13，研磨部13与硅片进行接触研磨，所述第一容置区域11用以设置发光灯条20，所述第二容置区域12用以设置或者露出金属件30，所述金属件30与发光灯条20之间不发生干涉。
[0031]发光灯条20作为光源，采用如LED灯条，灯条上具有灯珠，金属件30则采用镍片材料，接入电源，光电结合的原理为：硅片中的碳化硅在吸收可见光之后，在外层电子能量上进行转移，即电子跳跃转移至更高能态，由此增加与化学药剂的反应处理，同时，电能的加入，也同样可以促进电子跳跃至高能态，进一步提供反应处理，由此，可以加快抛光效率。
[0032]其中的基垫10由以下质量百分比的组分发泡成型：10％
‑
30％的氧化铈粉、60
‑
85％的聚氨酯、5％
‑
10％的助剂，助剂整体由均量的二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂组成。
[0033]实施例1
[0034]基垫10由以下质量百分比的组分发泡成型：10％的氧化铈粉、85％的聚氨酯、5％的助剂，助剂整体由均量的二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂组成。
[0035]实施例2
[0036]基垫10由以下质量百分比的组分发泡成型：20％的氧化铈粉、72％的聚氨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电结合的CMP用研磨垫，其特征在于，包括：一基垫，所述基垫上设置有呈十字形分布的多条第一容置区域与第二容置区域，所述第一容置区域与第二容置区域将基垫的一个端面分割成棋盘状分布的多个研磨部，所述第一容置区域用以设置发光灯条，所述第二容置区域用以设置或者露出金属件，所述金属件与发光灯条之间不发生干涉。2.根据权利要求1所述的一种光电结合的CMP用研磨垫，其特征在于，所述基垫由以下质量百分比的组分发泡成型：10％
‑
30％的氧化铈粉、60
‑
85％的聚氨酯、5％
‑
10％的助剂。3.根据权利要求2所述的一种光电结合的CMP用研磨垫，其特征在于，所述助剂包括二异氰酸脂、抗水解剂、扩链剂、空心填料与增塑剂。4.根据权利要求3所述的一种光电结合的CMP用研磨垫，其特征在于，所述第一容置区域与第二容置区域均为在基垫的一个端面下凹设置的槽体，相邻的所述第一容置区域与第二容置区域之间存在间隔，位于同一直线上的所述第一容置区域连续设置，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置。5.根据权利要求3所述的一种光电结合的CMP用研磨垫，其特征在于，所述第一容置区域为在基垫的一个端面上下凹设置的沟槽，所述第二容置区域为贯穿基垫的孔体，位于同一直线上的多个所述第二容置区域间隔设置，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏晓平，单希基，涂婳，
申请(专利权)人：浙江厚积科技有限公司，
类型：发明
国别省市：