【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅片加工装置，特别是涉及一种利用光电化学槽制造图案式深穿孔硅片的装置。
技术介绍
1、在集成电路领域中，硅穿孔一直是半导体先进封装最核心的技术之一，目前主要的穿孔方法主要有机械穿孔和激光穿孔两种；
2、机械穿孔它通过机械加工的方式，在硅片表面上用钻头穿孔，由于硅片的硬度很高，等离子体切割机和光刻技术无法实现高精度穿孔，因此机械穿孔一直是一种稳定可靠的技术。机械穿孔的优点在于：操作简单，成本低廉，孔径精度高；缺点在于：加工硬度大，易产生划痕和裂纹，需要使用高性能的钻头，对人工操作技能要求高，且加工精度有限。
3、激光穿孔是近年来发展起来的一种高科技的打孔方式，它主要通过在硅片表面使用激光束进行切割和加工，激光打孔具有处理速度快、精度高、无热影响区等优点，激光穿孔的优点在于：孔径精度高，可控性强，打孔速度快，适用于各种硅片材质。但同样的缺点在于：设备成本较高，操作复杂，需要专业的人员进行操作和维护。
4、因此两种加工方式都存在一定的优点和缺点，现申请人致力于提出一种新的穿孔装置，能够有效的进行穿...
【技术保护点】
1.一种利用光电化学槽制造图案式深穿孔硅片的装置，包括电镀机(1)，电镀机(1)上具有电镀槽(2)，电镀槽(2)内设置有连接电镀电源阴极的电镀头(3)，电镀槽(2)上连接有能够向其内部注入和排出电解液的管路(4)，其特征在于，在电镀槽(2)的周缘设置有密封封条(5)，密封封条(5)的内侧嵌设有若干个向外凸出的探针(6)，探针(6)的内端与电镀电源的阳极连接，探针(6)的内侧放置有硅片(7)，且各个探针(6)的外端均能够与硅片(7)相接触并导通，硅片(7)上表面设置有图案层(8)，所述密封封条(5)的下端设置有能够将电镀槽(2)封闭起来的真空吸盘(9)。
2...
【技术特征摘要】
1.一种利用光电化学槽制造图案式深穿孔硅片的装置，包括电镀机(1)，电镀机(1)上具有电镀槽(2)，电镀槽(2)内设置有连接电镀电源阴极的电镀头(3)，电镀槽(2)上连接有能够向其内部注入和排出电解液的管路(4)，其特征在于，在电镀槽(2)的周缘设置有密封封条(5)，密封封条(5)的内侧嵌设有若干个向外凸出的探针(6)，探针(6)的内端与电镀电源的阳极连接，探针(6)的内侧放置有硅片(7)，且各个探针(6)的外端均能够与硅片(7)相接触并导通，硅片(7)上表面设置有图案层(8)，所述密封封条(5)的下端设置有能够将电镀槽(2)封闭起来的真空吸盘(9)。
2.根据权利要求1所述的一种利用光电化学槽制造图案式深穿孔硅片的装置，其特征在于，所述电解液为含hf的电解液。
3.根据权利要求1所述的一种利用光电化学槽制造图案式深穿孔硅片的装置，其特征在于，所述硅片(7)为n型硅材料。
<...【专利技术属性】
技术研发人员：单希基，陈昱安，郭彦甫，
申请(专利权)人：浙江厚积科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。