全彩QLED器件及其制备方法技术

本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括：基板；像素隔离单元bank，像素隔离单元bank在基板上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，光刻胶保护层设置于全彩QD阵列的上方；透明电极，透明电极设置于光刻胶保护层的上方，其中QD功能单元通过逐次光刻清洗的方式填充在像素隔离单元bank内。本发明专利技术通过在像素隔离单元bank内的全彩QD阵列上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层，对全彩QD阵列进行保护，实现了高像素密度的全彩QLED器件，并减少了电子的注入，有利于达到电子空穴注入平衡，提高了全彩QLED器件性能。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电，具体涉及一种全彩qled器件及其制备方法。

技术介绍

1、量子点发光二极管(qled)是一种新型的电致发光器件，利用电荷注入激活量子点发光，其具有广色域，亮度高，溶液加工低成本等特点，可满足显示的应用需求。

2、而现有技术中，实现全彩qled器件的方法有如转印、喷墨打印、量子点光刻等方法。在喷墨打印方案中，可以使用先制备像素隔离单元bank后打印墨水的方式，制作图案化显示器件，如公告号为cn 106876566 b的中国专利技术专利，公开了先制备得到功能性高导热像素隔离bank，在像素区域内沉积光学层，随后制备电极层，完成qled器件的技术方案，但此方案仅能制备得到单色qled器件，不能满足全彩qled显示的需求。

3、而且，喷墨打印方案难以大批量做到20微米以下的像素单元，存在效率低、咖啡环等问题，难以应用于制备高像素密度显示器件。

技术实现思路

1、本专利技术创新地提出了一种全彩qled器件及其制备方法，在喷墨打印方案的基础上，利用多次光刻辅助的方式制备光刻胶保护层本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种全彩QLED器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，所述QD功能单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，

3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，还包括：

4.根据权利要求1所述的器件，所述QD功能单元由下至上依次包括电子传输层、量子点发光层，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个QD功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同；

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述像素隔离单元bank的尺寸为0.1微米至2000微米。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光刻胶保护层的材料为含有...

【技术特征摘要】

1.一种全彩qled器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，所述qd功能单元由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层以及量子点发光层，

3.根据权利要求1至2中任一项所述的器件，还包括：

4.根据权利要求1所述的器件，所述qd功能单元由下至上依次包括电子传输层、量子点发光层，其中，沿所述基板长度方向和/或宽度方向，相邻的两个qd功能单元中的量子点发光层的颜色种类不同；

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述像素隔离单元bank的尺寸为0.1微米至2000微米。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述光刻胶保护层的材料为含有空穴半导体材料的光刻胶。

7.一种全彩qled器件制备方法，包括：

8.根据权利要求7所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：景宇宇，钟海政，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：