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本公开涉及一种全彩QLED器件及其制备方法。所述器件包括：基板；像素隔离单元bank，像素隔离单元bank在基板上阵列分布；全彩QD阵列，全彩QD阵列中的任一个QD功能单元设置于像素隔离单元bank内；光刻胶保护层，光刻胶保护层设置于全彩Q...
该专利属于北京理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京理工大学授权不得商用。

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