【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于igbt器件,具体是一种igbt半导体器件结构。
技术介绍
1、igbt又称绝缘栅双极晶体管综合了电力晶体管和电力场效应晶体管的优点,具有良好的特性,目前igbt生产大多采用封装,且内部处于密封状态,现有idbt通电工作内部会持续产生热量,若对igbt器件及时进行散热,则会出现过热现象,从而影响igbt器件的使用寿命,因此先提出一种igbt半导体器件结构。
技术实现思路
1、为解决上述
技术介绍
中提出的问题,本专利技术提供了一种igbt半导体器件结构,解决了现有igbt内部处于密封状态,idbt通电工作内部会持续产生热量,若对igbt器件及时进行散热,则会出现过热现象,从而影响igbt器件使用寿命的问题。
2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种igbt半导体器件结构,包括igbt模块,固装于所述igbt模块底部的散热壳,安装于所述散热壳内部的注水组件以及安装于所述igbt模块顶部且与所述注水组件连通的散热组件,通过注水组件与散热组件对igbt模块进行热
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【技术保护点】
1.一种IGBT半导体器件结构,包括IGBT模块(100),其特征在于:固装于所述IGBT模块(100)底部的散热壳(200),安装于所述散热壳(200)内部的注水组件(300)以及安装于所述IGBT模块(100)顶部且与所述注水组件(300)连通的散热组件(400),通过注水组件(300)与散热组件(400)对IGBT模块(100)进行热交换;
2.根据权利要求1所述的IGBT半导体器件结构,其特征在于:所述挡板组件(800)包括固装于所述散热壳(200)内部两端的固定板(801),固装于所述固定板(801)侧部的限位杆(802);
3.根据
...【技术特征摘要】
1.一种igbt半导体器件结构,包括igbt模块(100),其特征在于:固装于所述igbt模块(100)底部的散热壳(200),安装于所述散热壳(200)内部的注水组件(300)以及安装于所述igbt模块(100)顶部且与所述注水组件(300)连通的散热组件(400),通过注水组件(300)与散热组件(400)对igbt模块(100)进行热交换;
2.根据权利要求1所述的igbt半导体器件结构,其特征在于:所述挡板组件(800)包括固装于所述散热壳(200)内部两端的固定板(801),固装于所述固定板(801)侧部的限位杆(802);
3.根据权利要求2所述的igbt半导体器件结构,其特征在于:所述固定板(801)表面开设有通风孔,所述挡板(803)通过第二弹簧(804)弹力被推压在固定板(801)上从而对通风孔进行密封。
4.根据权利要求3所述的igbt半导体器件结构,其特征在于:所述检测组件(700)包括连接于两个所述挡板(803)之间的记忆金属(703),所述记忆金属(703)的两端固装有滑动于所述散热壳(200)内壁的支撑板(702),所述支撑板(702)侧部安装有接触块(701)。
5.根据权利要求4所述的igbt半导体器件结构,其特征在于:所述记忆金属(703)受到热量收缩使两个接触块(701)接触,使水泵(301)通电,向注水管(302)与散热管(303)内部注水对igbt模块(100)进行散热。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员:张昊,佟裕桂,舒茵,
申请(专利权)人:潍坊勤俭持家网络科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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