半导体装置及测试方法制造方法及图纸

技术编号:41290172 阅读:24 留言:0更新日期:2024-05-13 14:41
本发明专利技术的目的在于提供一种无论在半导体IC芯片内的配置位置如何,均能够抑制负反馈放大电路的振荡的半导体装置及测试方法。本发明专利技术具有半导体IC芯片,所述半导体IC芯片形成有:第一焊盘及第二焊盘;反馈放大电路,通过将与输入电压和反馈电压的差值对应的电流经由第一布线而送出至第一焊盘,来生成供给至电容性的负载的输出电压;以及反馈电阻,经由与第一布线为非连接的第二布线接收利用第二焊盘接收到的电压,并生成将经由第二布线而接收到的电压分压后的电压作为反馈电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置,尤其涉及一种形成有向经外部连接的负载供给电压的电路的半导体装置及测试方法


技术介绍

1、作为半导体装置,包含生成电压值恒定的电压且将其作为输出电压而输出的恒定电压电路的半导体装置被制品化。

2、另外,作为所述恒定电压电路,提出了一种包含如下部件的恒定电压电路:差动放大器,在自身的非反相输入端接收基准电压,并在非反相输入端接收利用电阻对输出电压进行分压后的反馈电压;以及晶体管,通过将与所述差动放大器的输出相应的电流供给至所述电阻来生成输出电压(例如,参照专利文献1)。所述恒定电压电路是以通过输出与基准电压和自身的输出电压的差值对应的电流,而使所述输出电压的电压值与基准电压相等的方式运行的负反馈放大电路,且内置有防止振荡的相位补偿电路。

3、此种负反馈放大电路中包含的相位补偿电路设计为,考虑到所述负反馈放大电路所要求的增益及输出电流、或所连接的负载的特性等,确保用于防止振荡的相位裕度。

4、[现有技术文献]

5、[专利文献]

6、[专利文献1]日本专利特开2011-13本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置,其特征在于具有半导体集成电路芯片,所述半导体集成电路芯片形成有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述反馈电阻包含一端与所述第二布线连接的第一电阻、一端与所述第一电阻的另一端连接的第二电阻,且生成在所述第一电阻及所述第二电阻彼此的连接点产生的电压作为所述反馈电压,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体集成电路芯片包含焊盘间电阻,所述焊盘间电阻的一端与所述第一焊盘连接且另一端与所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置,其特征在于具有半导体集成电路芯片,所述半导体集成电路芯片形成有:

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置,其特征在于,所述反馈电阻包含一端与所述第二布线连接的第一电阻、一端与所述第一电阻的另一端连接的第二电阻,且生成在所述第一电阻及所述第二电阻彼此的连接点产生的电压作为所述反馈电压,

4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,

5.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述半导体集成电路芯片包含焊盘间电阻,所述焊盘间电阻的一端与所述第一焊盘连接且另一端与所述第二焊盘连接。

6.根据权利要求5所述的半导体装置,其特征在于,包含收容所述半导体集成电路芯片的封装体,

7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:王亦凡
申请(专利权)人:蓝碧石科技株式会社
类型:发明
国别省市:

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