新型三维存储器阵列及制备方法技术

本发明专利技术提供一种新型三维存储器阵列及制备方法，其中的三维存储器阵列包括呈阵列分布的存储单元；存储单元的一端与字线WL连接，另一端与位线BL连接，在每条字线WL的底部设置有对应的选通晶体管，字线WL的底部与选通晶体管的漏极连接；选通晶体管的栅极与栅线GL连接，选通晶体管的源极与源线SL连接；位线BL、字线WL、源线SL及栅线GL共同控制存储单元的状态。利用上述发明专利技术能够降低1S1R对于选通管非线性的要求，减低面积开销，提高阵列的密度及存储规模。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体和cmos混合集成电路，更为具体地，涉及一种新型三维存储器阵列及制备方法。

技术介绍

1、近年来，人工智能市场取得了显著增长，同时随着智能终端如智能手机、手表和手环等的不断普及，市场对于高能效硬件的需求也在不断增加。然而，传统的计算架构依赖冯·诺依曼体系结构，该体系将处理器和存储器分开，通过处理器从存储器中检索数据进行处理，然后将数据存回存储器。这个过程需要在处理器和存储器之间进行大量的数据传输，导致能耗和时间延迟增加。

2、因此，为实现处理器和存储器之间的大量的数据传输及计算，常规方案是采用阻变存储器(rram)、相变存储器(pram)、磁阻存储器(mram)和铁电存储器(feram)等新型器件实现数据存内计算。其中，阻变存储器因为具备非易失性特征、多值存储潜力、高集成密度以及与现有半导体工艺的兼容性等优势，成为新型存内计算中最具前景的候选器件之一。

3、作为新型存储器代表之一，rram阵列由于每条字线和位线是垂直连接的(crossbar结构)，因此旁泄电流对读取操作有很大的影响。也就是说，来自相邻单元的干扰电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型三维存储器阵列，其特征在于，包括呈阵列分布的存储单元；

2.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

4.一种新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，当所述存储单元为串联的RRAM和选通管，所述位线氧化法包括：

6.根据权利要求4所述的新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，当所述存储单元为串联的RRAM和选通管，所述位线填充法包括：

7.根据权利要求5所述的...

【技术特征摘要】

1.一种新型三维存储器阵列，其特征在于，包括呈阵列分布的存储单元；

2.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的新型三维存储器阵列，其特征在于，

4.一种新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，包括：

5.根据权利要求4所述的新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，当所述存储单元为串联的rram和选通管，所述位线氧化法包括：

6.根据权利要求4所述的新型三维存储器阵列的制备方法，其特征在于，当所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡一茂，杨高琦，王宗巍，鲍盛誉，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：