【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种半导体器件以及该半导体器件的制造方法，更具体地，涉及一种包括电容器的半导体器件以及该半导体器件的制造方法。
技术介绍
1、随着半导体器件尺寸的缩小，用于实现半导体器件的各个精细电路图案的尺寸已经进一步减小。随着各个精细电路图案的尺寸增加，单元电容器和外围电路接触部的高度增加。因此，在形成外围电路接触部的工艺中可能会出现未对准缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供了一种具有改善的可靠性的半导体器件。
2、本技术思想所要解决的目的并不局限于上述目的，其他未提及的目的本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解。
3、根据本专利技术构思的实施例，可以提供一种半导体器件。一种半导体器件，包括：衬底，包括第一区域和平面地围绕第一区域的第二区域；下电极，设置在衬底的第一区域上并且沿竖直方向延伸；支撑部，围绕下电极的侧壁并且支撑下电极；第一上电极，在下电极上覆盖下电极，第一上电极包括设置在第一区域内的第一部分和设置在第二区域内的第二部分；介电层，布置在下电极与第一上电极之间；以及第二上电极，设置在第一上电极的第一部分上，其中，第二上电极不设置在第一上电极的第二部分上。
4、根据本专利技术构思的实施例，可以提供一种半导体器件。半导体器件包括：衬底，包括单元区域和连接区域，单元区域包括第一区域和第二区域，第二区域布置在第一区域与连接区域之间；多个导电图案，设置在衬底的单元区域上；多个下电极，分别连接到多个导电图案并且每个下电极沿竖直方向延伸；
5、根据本专利技术构思的实施例，可以提供一种半导体器件。半导体器件包括：衬底，包括单元区域、连接区域和外围电路区域，单元区域包括第一区域和第二区域，第二区域布置在第一区域与连接区域之间；单元晶体管，设置在衬底的单元区域内；外围电路，设置在衬底的外围电路区域内；电容器，设置在衬底的单元区域内并且电连接到单元晶体管；以及外围电路接触部，设置在衬底的外围电路区域内并且电连接到外围电路，其中，电容器包括下电极，设置在衬底的第一区域上并且沿竖直方向延伸；多个支撑部，围绕下电极的侧壁并且支撑下电极；第一上电极，在下电极上覆盖下电极，第一上电极包括设置在第一区域内的第一部分和设置在第二区域内的第二部分；介电层，布置在下电极与第一上电极之间；以及第二上电极，设置在第一上电极的第一部分上，其中，第二上电极不设置在第一上电极的第二部分上。
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极包括选自硅-锗SiGe和硅Si中的一种或多种，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括与所述第二上电极的材料实质上不同的材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二上电极上的保护层，所述保护层包括绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述保护层不设置在所述第一上电极的所述第二部分上。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分具有L形截面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括沿与所述竖直方向交叉的水平方向突出的一个或多个突出部，以及
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极包括选自硅-锗SiGe和硅Si中的一种或多种，以及
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括沿与所述竖直
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括朝向所述连接区域突出的尾部。
12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分的上表面的竖直高度包括竖直高度与所述第一上电极的所述第一部分的上表面的竖直高度不同的部分。
13.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括设置在所述第二上电极上的保护层，所述保护层包括绝缘层。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述保护层不设置在所述第一上电极的所述第二部分上。
15.一种半导体器件，包括：
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一上电极包括选自硅-锗SiGe和硅Si中的一种或多种，以及
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分不包括与所述第二上电极的材料相同的材料。
18.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分不包括钨W、氮化钛TiN及其组合。
19.根据权利要求15所述的半导体器件，还包括设置在所述第二上电极上的保护层，所述保护层包括绝缘材料，
20.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括选自沿与所述竖直方向交叉的水平方向朝向所述连接区域突出的一个或多个突出部和沿所述水平方向朝向所述连接区域突出的尾部中的一个或多个，
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极包括选自硅-锗sige和硅si中的一种或多种，以及
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括与所述第二上电极的材料实质上不同的材料。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述第二上电极上的保护层，所述保护层包括绝缘材料。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述保护层不设置在所述第一上电极的所述第二部分上。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分具有l形截面。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括沿与所述竖直方向交叉的水平方向突出的一个或多个突出部，以及
8.一种半导体器件，包括：
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极包括选自硅-锗sige和硅si中的一种或多种，以及
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括沿与所述竖直方向交叉的水平方向突出的一个或多个突出部，以及
11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一上电极的所述第二部分包括朝向所述连接区域突出的尾部...
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