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本发明提供一种新型三维存储器阵列及制备方法，其中的三维存储器阵列包括呈阵列分布的存储单元；存储单元的一端与字线WL连接，另一端与位线BL连接，在每条字线WL的底部设置有对应的选通晶体管，字线WL的底部与选通晶体管的漏极连接；选通晶体管的栅极...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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