霍尔元件和霍尔传感器制造技术

技术编号：41263713 阅读：2 留言：0更新日期：2024-05-11 09:20

本发明专利技术提供霍尔元件和霍尔传感器。抑制薄层电阻的变动，使灵敏度补偿变得容易。霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在基板上形成二维电子气膜的活性层、相对于活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于层叠体上；以及多个电极(6a～6d)，其包括分别通过设于绝缘膜的接触孔连接于活性层的至少两个电极(6a、6b)，至少两个电极中的一个电极(6a)从该接触孔上朝向另一个电极(6b)而在绝缘膜上延伸设置。在二维电子气膜‑UP型的霍尔元件中，为了确保电极尺寸而使绝缘膜介于朝向电极(6b)而在绝缘膜上延伸设置的电极(6a)与活性层之间，能够抑制从电极(6a)沿膜厚方向施加驱动电压而活性层的薄层电阻变动的情况。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及霍尔元件和霍尔传感器。

技术介绍

1、作为磁传感器之一的霍尔元件，考虑以下的二维电子气膜-up型的霍尔元件：通过采用形成二维电子气膜的活性层来提高相对于驱动电压生成的输出电压的比例即灵敏度，通过在包括活性层的层叠体上隔着绝缘膜设置电极(up)来进行低噪声化，由此实现了sn比的提高。该up型的霍尔元件例如在专利文献1中被公开。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2018-160631号公报

技术实现思路

1、用于解决问题的方案

2、在本专利技术的第1方案中，提供一种霍尔元件，该霍尔元件具备：基板；层叠体，其包括在所述基板上形成二维电子气膜的活性层、以及相对于该活性层分别在下侧和上侧层叠的第1缓冲层和第2缓冲层；绝缘膜，其形成于所述层叠体上；以及多个电极，其包括分别通过设于所述绝缘膜的接触孔而连接于所述活性层的至少两个电极，该至少两个电极中的一个电极从该接触孔上朝向另一个电极而在所述绝缘膜上延伸设置。

3、在本专利技术的第2方案中，提供一种霍尔传感器，该霍尔传感器具备第1方案的霍尔元件，对进入所述霍尔元件的所述活性层的磁场的强度进行检测。

4、此外，上述的
技术实现思路
并非列举了本专利技术的所有特征。另外，上述的特征组的子组合也能成为专利技术。

【技术保护点】

1.一种霍尔元件，其中，

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

3.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

5.根据权利要求4所述的霍尔元件，其中，

6.根据权利要求4所述的霍尔元件，其中，

7.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

8.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

9.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

10.根据权利要求9所述的霍尔元件，其中，

11.一种霍尔传感器，其中，

【技术特征摘要】

1.一种霍尔元件，其中，

2.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

3.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

4.根据权利要求1所述的霍尔元件，其中，

5.根据权利要求4所述的霍尔元件，其中，

6.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上仁人，服部兼吾，
申请(专利权)人：旭化成微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人