System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 具有温度补偿增益的可变增益放大器制造技术_技高网

具有温度补偿增益的可变增益放大器制造技术

技术编号:41252989 阅读:9 留言:0更新日期:2024-05-10 00:01
一种具有温度补偿的放大器,其中所述放大器具有晶体管(Q<subgt;1</subgt;、Q<subgt;2</subgt;),所述晶体管(Q<subgt;1</subgt;、Q<subgt;2</subgt;)被配置为放大接收的信号以产生放大的信号。放大器增益随温度变化。所述增益控制电路响应于增益控制信号来调节所述放大器增益。温度补偿电路(108)包括恒流源(144),其生成用于产生恒定电压的恒定电流的恒流源。温度相关电流源(148),其生成温度相关电流,所述温度相关电流用于产生温度相关电压,使得所述温度相关电流源(148)与所述放大器相比具有相反的温度相关性。运算放大器(156)将恒定电压与温度相关电压进行比较,并生成随温度变化的偏移信号。门控缓冲器(140)被配置为接收所述偏移信号且选择性地修改所述增益控制信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及可变增益放大器,尤其涉及一种用于温度补偿的方法和装置。


技术介绍

1、可变增益放大器(vga)是许多电子设备中的常见元件,允许电路设计响应于输入信号功率或期望输出功率的变化来调节放大器的增益。放大器设计和实施方式的一个挑战是温度漂移。温度漂移的发生是因为诸如放大器器件的电阻之类的行为随着温度而改变,从而对温度上的线性度产生负面影响。

2、克服与放大器设计相关联的该缺点的一种提出的解决方案是基于一个或多个电阻器值来定义增益水平。此外,通过用正温度系数电流直接偏置npn放大器器件来实现增益随温度变化的温度补偿。用正温度系数电流直接偏置npn放大器器件的缺点在于,所提出的解决方案导致信号的共模电压的变化,并且因此不期望地影响线性度和最大允许放大器摆幅。

3、对现有技术的缺点提出的另一种解决方案是用nmos(n沟道金属氧化物半导体)器件限定或控制放大器增益水平,并使用连续反馈回路来监测输出摆幅,然后调节增益设置以保持期望的输出摆幅。然而,该提出的解决方案需要具有非常长时间常数的反馈回路和具有非常精细步长的增益控制。这导致电路需要用于数字控制逻辑和dac的大面积,这消耗空间和功率。


技术实现思路

1、为了克服现有技术中的缺点并提供额外的益处,公开了一种具有温度补偿的放大器。在一个实施例中,放大器具有一个或更多个晶体管,该一个或更多个晶体管被配置为放大接收的信号以产生放大的信号。如本文所讨论的,一个或多个晶体管具有随温度变化的增益。此外,该实施例的一部分是增益控制电路和温度补偿电路。增益控制电路连接到放大器并且被配置为响应于增益控制信号来调节放大器的增益。温度补偿电路包括恒流源,恒流源被配置为生成用于产生恒定电压的恒定电流。温度补偿电路的另一部分是温度相关电流源,该温度相关电流源被配置为生成温度相关电流,该温度相关电流用于产生温度相关电压。与放大器相比,与温度相关的电流源具有相反的温度相关性。运算放大器被配置为将恒定电压与温度相关电压进行比较,并生成随温度变化的偏移信号。门控缓冲器被配置为接收偏移信号且响应于偏移信号而选择性地修改所述增益控制信号。

2、在一个实施例中,温度相关电流源生成与放大器的增益相反地随温度变化的电流。在一种配置中,两个或更多个晶体管具有随着温度改变而改变增益的负温度系数。预期增益控制电路可以包括一个或多个fet,并且增益控制信号调节增益控制电路中的fet的电阻以调节放大器的增益。在一个实施例中,偏移信号调节生成温度相关电压的fet电阻。门控缓冲器可接收控制信号以控制增益,且控制信号由偏移信号修改。

3、本文还公开了一种具有温度补偿增益控制的放大器,其包括被配置为放大接收的信号以产生放大的信号的放大器。放大器具有使增益随温度变化而变化的温度系数,并且增益基于增益控制信号来确定。增益控制电路被配置为基于控制信号生成增益控制信号。此外,该实施例的一部分是温度补偿电路,其被配置为生成增益偏移信号,该增益偏移信号选择性地修改增益控制信号,使得温度补偿电路具有与放大器的温度系数相反的温度系数。

4、在一个实施例中,放大器具有负温度系数,并且温度补偿电路具有正温度系数。相反,预期放大器具有正温度系数,并且温度补偿电路具有负温度系数。在一种配置中,增益控制电路包括用作开路或可变电阻器的一个或多个晶体管,并且电阻量由增益控制信号确定。还可以设想,温度补偿电路可以包括反馈回路,该反馈回路被配置为生成随温度改变而改变的增益偏移信号。这样,反馈回路还可以包括生成增益偏移信号的运算放大器,并且增益控制电路还包括接收控制信号和增益偏移信号并基于增益偏移信号修改控制信号的缓冲器。在一个实施例中,温度补偿电路包括生成温度相关输出的电流源。

5、还公开了一种用于温度补偿放大器增益的方法,包括提供具有温度系数的放大器,该温度系数使得放大器的增益随着温度的改变而改变。还提供了一种温度补偿电路,其生成增益偏移信号,使得温度补偿电路具有与放大器的温度补偿电路相反的温度系数。然后,该方法接收用于放大的输入信号,并用放大器放大该信号以产生放大的信号。放大的级别(level)由增益控制信号确定。该方法还利用温度补偿电路生成增益偏移信号,使得增益偏移信号抵消由放大器中的增益变化引起的温度改变的影响,从而保持放大的信号随温度的线性。

6、在一个实施例中,放大器包括具有负温度系数的一个或多个晶体管,并且温度补偿电路包括具有正温度系数的一个或多个电流源。预期增益控制信号包括两个或更多个信号,所述两个或更多个信号被提供给两个或更多个fet以选择性地调节跨两个或更多个fet的电阻,这进而控制放大器的增益。该操作方法还可以包括利用温度补偿电路内的反馈回路生成增益偏移信号,使得反馈回路包括随温度改变而改变的反馈信号。此外,该方法还可以包括在缓冲器处接收控制信号和增益偏移信号,并用增益偏移信号修改控制信号以生成增益控制信号。

7、在检查以下附图和详细描述后,本专利技术的其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得显而易见。所有这样的附加系统、方法、特征和优点旨在被包括在本说明书内,在本专利技术的范围内,并且由所附权利要求保护。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有温度补偿的放大器,包括:

2.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述温度相关电流源随温度变化与所述放大器的增益相反。

3.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,两个或更多个晶体管具有随着温度改变而改变增益的负温度系数。

4.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述增益控制电路包括一个或多个FET,并且所述增益控制信号调节所述增益控制电路中的FET的电阻。

5.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述偏移信号用于调节生成所述温度相关电压的电阻。

6.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述门控缓冲器接收控制信号以控制增益,并且所述控制信号由所述偏移信号修改。

7.一种具有温度补偿增益控制的放大器,包括:

8.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述放大器具有负温度系数,并且所述温度补偿电路具有正温度系数。

9.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述放大器具有正温度系数,并且所述温度补偿电路具有负温度系数。

10.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述增益控制电路包括充当开路或可变电阻器的一个或多个晶体管,电阻的量由所述增益控制信号确定。

11.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述温度补偿电路包括反馈回路,所述反馈回路被配置为生成随温度改变而改变的增益偏移信号。

12.根据权利要求11所述的放大器,其中,所述反馈回路还包括运算放大器,所述运算放大器生成所述增益偏移信号,并且所述增益控制电路还包括缓冲器,所述缓冲器接收所述控制信号和所述增益偏移信号并基于所述增益偏移信号修改所述控制信号。

13.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述温度补偿电路包括电流源,所述电流源生成与温度相关的输出。

14.一种用于温度补偿放大器增益的方法,包括:

15.根据权利要求14所述的方法,其中,所述放大器包括具有负温度系数的一个或多个晶体管,并且所述温度补偿电路包括具有正温度系数的一个或多个电流源。

16.根据权利要求14所述的方法,其中,所述增益控制信号包括两个或更多个信号,所述两个或更多个信号被提供给两个或更多个FET以选择性地调节跨所述两个或更多个FET的电阻,所述电阻进而控制所述放大器的增益。

17.根据权利要求14所述的方法,还包括利用所述温度补偿电路内的反馈回路生成所述增益偏移信号,使得所述反馈回路包括随着温度改变而改变的反馈信号。

18.根据权利要求14所述的方法,还包括在缓冲器处接收控制信号和所述增益偏移信号,并且利用所述增益偏移信号修改所述控制信号以生成所述增益控制信号。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种具有温度补偿的放大器,包括:

2.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述温度相关电流源随温度变化与所述放大器的增益相反。

3.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,两个或更多个晶体管具有随着温度改变而改变增益的负温度系数。

4.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述增益控制电路包括一个或多个fet,并且所述增益控制信号调节所述增益控制电路中的fet的电阻。

5.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述偏移信号用于调节生成所述温度相关电压的电阻。

6.根据权利要求1所述的具有温度补偿的放大器,其中,所述门控缓冲器接收控制信号以控制增益,并且所述控制信号由所述偏移信号修改。

7.一种具有温度补偿增益控制的放大器,包括:

8.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述放大器具有负温度系数,并且所述温度补偿电路具有正温度系数。

9.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述放大器具有正温度系数,并且所述温度补偿电路具有负温度系数。

10.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述增益控制电路包括充当开路或可变电阻器的一个或多个晶体管,电阻的量由所述增益控制信号确定。

11.根据权利要求7所述的放大器,其中,所述温度...

【专利技术属性】
技术研发人员:J·R·弗朗西斯
申请(专利权)人:MACOM技术解决方案控股公司
类型:发明
国别省市:

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