【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体而言，涉及一种湿法蚀刻装置及温度调控方法。
技术介绍
1、湿法刻蚀是一种化学工艺，其采用蚀刻剂对产品未被保护的部位进行选择性化学腐蚀。这些蚀刻剂通常由酸、碱或溶剂等化学物质的混合物组成，它们与产品表面材料发生反应能够形成可轻松洗掉的可溶产物。其中，蚀刻剂成分决定了溶液的反应性和可蚀刻材料的类型，蚀刻剂浓度则影响蚀刻速率和选择性，蚀刻剂温度影响反应动力学，较高的温度通常会导致蚀刻速率更快和化学活性增加。
2、一般地，蚀刻均匀性是衡量湿法蚀刻工艺高低的重要指标，蚀刻均匀性对蚀刻产品的质量影响非常大，不完全蚀刻或者过蚀刻都会造成产品的质量降低，甚至导致产品报废。因此，在湿法蚀刻工作中需要严格控制蚀刻均匀性，从而保障蚀刻产品的质量。而根据化学反应动力学理论，对于绝大多数化学反应来说温度升高10℃，反应速率提高1倍～2倍。这就使得温度的变化会影响大多数材料的湿法蚀刻速率，然而，对于温度具有统一要求的产品（尤其是大表面的产品），其表面温度的均匀性会极大影响到蚀刻均匀性。针对这种现象，现有技术中普遍在蚀刻槽外周设置外槽作为溢流，并在槽底部增加加热装置来提高蚀刻剂的温度，但由于溶液流动及热量传递等因素，仍然存在产品待蚀刻表面温度分布不均的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种湿法蚀刻装置及温度调控方法，其能够提高待蚀刻产品表面的温度分布均匀性，进而提高蚀刻均匀性。
2、本专利技术的实施例是这样实现的：
3、本专利技术的一
4、可选地，所述待蚀刻产品通过花篮放置于所述第二容置仓内，所述花篮设有驱动结构，所述驱动结构用于驱动所述待蚀刻产品沿其中心轴线转动。
5、可选地，所述温度调节组件还包括第一主动轮、第一从动轮、套设于所述第一主动轮和所述第一从动轮外周的第一传送带；所述活动支架固定于所述第一传送带上，所述注入管出口中心沿所述待蚀刻产品的径向运动。
6、可选地，所述温度控制系统为模拟仿真系统，所述模拟仿真系统与所述温度调节组件信号连接，所述模拟仿真系统用于在蚀刻过程中对所述待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布情况进行数值模拟，以得到待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布。
7、可选地，所述温度控制系统包括控制器和与所述控制器电连接的多个温度传感器；所述温度传感器用于检测所述待蚀刻产品不同位置的温度信息并发送给所述控制器，所述控制器用于根据所述温度信息得到待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布。
8、本专利技术的另一方面，提供一种温度调控方法，该温度调控方法应用了上述的湿法蚀刻装置，所述方法包括：
9、通过温度控制系统获取所述待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布；
10、根据所述温度分布计算预设位置和预设温度，所述预设位置为所述温度分布中与目标温度的偏差最大的位置，所述预设温度为在所述预设位置处需要注入的补偿蚀刻液的温度；
11、根据所述预设位置调节所述注入管位置，并根据所述预设温度调节所述补偿蚀刻液的温度；
12、通过注入管注入预设时间的补偿蚀刻液。
13、可选地，所述方法还包括：
14、在湿法蚀刻时，通过驱动结构带动所述待蚀刻产品沿其中心轴线转动。
15、可选地，所述预设温度满足如下公式：
16、tx=t目标平均+1/2(t目标平均-t实际)
17、其中，所述tx为所述预设温度，所述t目标平均为所述待蚀刻产品的目标平均温度，所述t实际为所述待蚀刻产品在预设位置处的实际温度。
18、可选地，所述预设温度满足如下公式：
19、tx=t当前平均+1/2(t当前平均-t实际)
20、其中，所述tx为所述预设温度，所述t当前平均为所述待蚀刻产品的当前平均温度，所述t实际为所述待蚀刻产品在预设位置处的实际温度。
21、可选地，在注入补偿蚀刻液后，所述方法还包括：
22、判断已执行的工艺时长和注入所述补偿蚀刻液的预设时间之和是否大于或等于所述待蚀刻产品的总蚀刻时长；
23、若否，重新将仿真条件输入模拟仿真系统的仿真模型中，且将所述预设位置的位置点赋值给所述仿真模型的初始位置、将所述预设温度的温度值赋值给所述仿真模型的初始补偿温度。
24、本专利技术的有益效果包括：
25、1、通过设置温度控制系统能够得到待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布，从而反馈出温度异常区域（温度过高或温度过低区域）；并通过设置温度调节组件能够根据温度控制系统反馈的温度分布对温度异常区域进行补偿，从而可以提高待蚀刻产品表面的温度分布均匀性，进而提高蚀刻均匀性；
26、2、通过驱动结构带动待蚀刻产品旋转，能够保证待蚀刻表面中半径相同位置处的蚀刻均匀性，简化了温度调节组件的运动结构，提高其响应速度。
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1.一种湿法蚀刻装置，包括用于放置待蚀刻产品的第二容置仓、设置于所述第二容置仓外侧作为溢流槽的第一容置仓和泵，所述泵用于将所述第一容置仓的溶液泵入所述第二容置仓，所述第二容置仓内设有加热装置；其特征在于，还包括温度控制系统以及温度调节组件；
2.根据权利要求1所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述待蚀刻产品通过花篮放置于所述第二容置仓内，所述花篮设有驱动结构，所述驱动结构用于驱动所述待蚀刻产品沿其中心轴线转动。
3.根据权利要求2所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述温度调节组件还包括第一主动轮、第一从动轮、套设于所述第一主动轮和所述第一从动轮外周的第一传送带；所述活动支架固定于所述第一传送带上，所述注入管出口中心沿所述待蚀刻产品的径向运动。
4.根据权利要求1-3任一项所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述温度控制系统为模拟仿真系统，所述模拟仿真系统与所述温度调节组件信号连接，所述模拟仿真系统用于在蚀刻过程中对所述待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布情况进行数值模拟，以得到待蚀刻产品的待蚀刻表面的温度分布。
5.根据权利要求1-3任一项所述
6.一种温度调控方法，其特征在于，应用了权利要求1至5中任意一项所述的湿法蚀刻装置，所述方法包括：
7.根据权利要求6所述的温度调控方法，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求6所述的温度调控方法，其特征在于，所述预设温度满足如下公式：
9.根据权利要求6所述的温度调控方法，其特征在于，所述预设温度满足如下公式：
10.根据权利要求6所述的温度调控方法，其特征在于，在注入补偿蚀刻液后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种湿法蚀刻装置，包括用于放置待蚀刻产品的第二容置仓、设置于所述第二容置仓外侧作为溢流槽的第一容置仓和泵，所述泵用于将所述第一容置仓的溶液泵入所述第二容置仓，所述第二容置仓内设有加热装置；其特征在于，还包括温度控制系统以及温度调节组件；
2.根据权利要求1所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述待蚀刻产品通过花篮放置于所述第二容置仓内，所述花篮设有驱动结构，所述驱动结构用于驱动所述待蚀刻产品沿其中心轴线转动。
3.根据权利要求2所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述温度调节组件还包括第一主动轮、第一从动轮、套设于所述第一主动轮和所述第一从动轮外周的第一传送带；所述活动支架固定于所述第一传送带上，所述注入管出口中心沿所述待蚀刻产品的径向运动。
4.根据权利要求1-3任一项所述的湿法蚀刻装置，其特征在于，所述温度控制系统为模拟仿真系统，所述模拟仿真系统与所述温度调节组件信号连接，所述模拟仿真系统用于在蚀刻过...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：新美光苏州半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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