【技术实现步骤摘要】
本技术属于人造金刚石，具体涉及一种金刚石生长用生长基台。
技术介绍
1、生长基台在金刚石生长过程中发挥着至关重要的作用，其用于为金刚石的生长提供平台。金刚石生长腔内，将一定数量的金刚石晶种均置于生长基台上后，生长基台上方的等离子体在放置有晶种的生长基台上沉积形成金刚石。金刚石生长受温度和金刚石生长腔内气压等因素的影响。在适宜温度范围内，金刚石生长速度快，质量优异，低于适宜温度情况下，金刚石生长缓慢，超出适宜温度情况下，金刚石质量有损。传统金刚石生长基台为表面平滑的圆盘结构，存在如下技术缺陷：受传统金刚石生长基台平滑表面的影响，等离子体在生长基台表面逐渐沉积的过程中，生成的金刚石膜容易位置跑偏，从而影响到最终的金刚石成品质量；等离子体为一高温气团，金刚石形成过程中，金刚石膜厚度逐步增加，金刚石膜顶面逐步靠近等离子体，受等离子体影响，金刚石膜温度升高超过金刚石生长的适宜温度，会影响到金刚石成品质量。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是：提供一种金刚石生长用生长基台，以至少解决上述部分技
【技术保护点】
1.一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，包括台体(1)，开设于台体(1)顶面的第一生长槽(2)，以及设于第一生长槽(2)内的防滑机构；第一生长槽(2)内设有用于容置金刚石生长体并对金刚石生长体限位的第一生长格(3)，防滑机构位于第一生长格(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长槽(2)内设有第一凸棱(5)，第一生长格(3)由四条第一凸棱(5)围设成。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一凸棱(5)高度低于第一生长槽(2)深度。
4.根据权利要求1所述的一种金刚...
【技术特征摘要】
1.一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，包括台体(1)，开设于台体(1)顶面的第一生长槽(2)，以及设于第一生长槽(2)内的防滑机构；第一生长槽(2)内设有用于容置金刚石生长体并对金刚石生长体限位的第一生长格(3)，防滑机构位于第一生长格(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长槽(2)内设有第一凸棱(5)，第一生长格(3)由四条第一凸棱(5)围设成。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一凸棱(5)高度低于第一生长槽(2)深度。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)有多个并呈阵列分布；或者，第一生长格(3)为一个。
5.根据权利要求4所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)为多个时，相邻第一生长格(3)之间形成有第一散热槽(6)。
【专利技术属性】
技术研发人员：李兵，袁稳，郑怡，王政磊，
申请(专利权)人：成都晶创未来科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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