【技术实现步骤摘要】
本技术属于人造金刚石，具体涉及一种金刚石生长用生长基台。
技术介绍
1、生长基台在金刚石生长过程中发挥着至关重要的作用，其用于为金刚石的生长提供平台。金刚石生长腔内，将一定数量的金刚石晶种均置于生长基台上后，生长基台上方的等离子体在放置有晶种的生长基台上沉积形成金刚石。金刚石生长受温度和金刚石生长腔内气压等因素的影响。在适宜温度范围内，金刚石生长速度快，质量优异，低于适宜温度情况下，金刚石生长缓慢，超出适宜温度情况下，金刚石质量有损。传统金刚石生长基台为表面平滑的圆盘结构，存在如下技术缺陷：受传统金刚石生长基台平滑表面的影响，等离子体在生长基台表面逐渐沉积的过程中，生成的金刚石膜容易位置跑偏，从而影响到最终的金刚石成品质量；等离子体为一高温气团，金刚石形成过程中，金刚石膜厚度逐步增加，金刚石膜顶面逐步靠近等离子体，受等离子体影响，金刚石膜温度升高超过金刚石生长的适宜温度，会影响到金刚石成品质量。
技术实现思路
1、本技术要解决的技术问题是：提供一种金刚石生长用生长基台，以至少解决上述部分技术问题。
2、为实现上述目的，本技术采用的技术方案如下：
3、一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，包括台体，开设于台体顶面的第一生长槽，以及设于第一生长槽内的防滑机构；第一生长槽内设有用于容置金刚石生长体并对金刚石生长体限位的第一生长格，防滑机构位于第一生长格内。
4、进一步地，第一生长槽内设有第一凸棱，第一生长格由四条第一凸棱围设成。
5、进一步
6、进一步地，第一生长格有多个并呈阵列分布；或者，第一生长格为一个。
7、进一步地，第一生长格为多个时，相邻第一生长格之间形成有第一散热槽。
8、进一步地，防滑机构包括设于第一生长格内并呈回字形分布的第一防滑凸条。
9、进一步地，第一生长槽角部设有与第一生长槽相连通的第一散热孔。
10、进一步地，台体底面设有第二生长槽，第二生长槽内设有四条第二凸棱，四条第二凸棱围设有第二生长格，第二生长格内设有呈回字形分布的第二防滑凸条。
11、进一步地，第二生长槽角部设有与第二生长槽相连通的第二散热孔。
12、进一步地，相邻第二防滑凸条之间形成有第二散热槽。
13、与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
14、本技术结构简单、设计科学合理，使用方便，对传统金刚石生长基台进行改进，在生长基台上表面开设生长槽并在生长槽内设防滑凸棱，等离子体在生长槽内沉积形成金刚石的过程中，生长槽的槽边和防滑凸棱可防止金刚石膜位置跑偏；根据金刚石膜在一定条件下随生长时段延长而厚度不断增加的特性，将厚度发生变化的金刚石膜依次转换于深度逐渐加深的不同生长槽内继续生长，可防止金刚石膜因厚度增加导致金刚石膜顶端逐渐靠近等离子团使得金刚石膜温度升高的情况发生，解决金刚石膜因温度升高导致的金刚石质量受损的技术问题；生长槽上设散热槽和散热孔，利用散热槽和散热孔对金刚石散热，有利于金刚石生长温度保持于适宜范围内。
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1.一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，包括台体(1)，开设于台体(1)顶面的第一生长槽(2)，以及设于第一生长槽(2)内的防滑机构；第一生长槽(2)内设有用于容置金刚石生长体并对金刚石生长体限位的第一生长格(3)，防滑机构位于第一生长格(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长槽(2)内设有第一凸棱(5)，第一生长格(3)由四条第一凸棱(5)围设成。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一凸棱(5)高度低于第一生长槽(2)深度。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)有多个并呈阵列分布；或者，第一生长格(3)为一个。
5.根据权利要求4所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)为多个时，相邻第一生长格(3)之间形成有第一散热槽(6)。
6.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，防滑机构包括设于第一生长格(3)内并呈回字形分布的第一防滑凸条(8)。
7.根据权利要
8.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，台体(1)底面设有第二生长槽(7)，第二生长槽(7)内设有四条第二凸棱(10)，四条第二凸棱(10)围设有第二生长格(9)，第二生长格(9)内设有呈回字形分布的第二防滑凸条(11)。
9.根据权利要求8所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第二生长槽(7)角部设有与第二生长槽(7)相连通的第二散热孔(12)。
10.根据权利要求8所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，相邻第二防滑凸条(11)之间形成有第二散热槽(13)。
...【技术特征摘要】
1.一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，包括台体(1)，开设于台体(1)顶面的第一生长槽(2)，以及设于第一生长槽(2)内的防滑机构；第一生长槽(2)内设有用于容置金刚石生长体并对金刚石生长体限位的第一生长格(3)，防滑机构位于第一生长格(3)内。
2.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长槽(2)内设有第一凸棱(5)，第一生长格(3)由四条第一凸棱(5)围设成。
3.根据权利要求2所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一凸棱(5)高度低于第一生长槽(2)深度。
4.根据权利要求1所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)有多个并呈阵列分布；或者，第一生长格(3)为一个。
5.根据权利要求4所述的一种金刚石生长用生长基台，其特征在于，第一生长格(3)为多个时，相邻第一生长格(3)之间形成有第一散热槽(6)。
【专利技术属性】
技术研发人员：李兵，袁稳，郑怡，王政磊，
申请(专利权)人：成都晶创未来科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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