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本技术公开了一种金刚石生长用生长基台，解决了传统金刚石生长基台上金刚石位置易跑偏，以及金刚石因厚度增加使得金刚石顶端靠近高温等离子体导致的金刚石温度升高使得金刚石质量受损的技术问题，包括台体、第一生长槽、防滑机构和第一生长格，防滑机构位于第...
该专利属于成都晶创未来科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都晶创未来科技有限公司授权不得商用。

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