【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及发光元件、发光元件的制造方法、显示装置以及显示装置的制造方法。
技术介绍
1、近年来，开发了各种各样具备发光元件的显示装置，尤其是，具备oled(organiclight emitting diode:有机发光二极管)或无机发光二极管或qled(quantum dot lightemitting diode:量子点发光二极管)的显示装置从能够实现低功耗化、薄型化及高画质化等方面出发，备受关注。
2、专利文献1中记载了一种发光元件，其具备由量子点形成的发光层和形成在上述发光层的正上方的由zno纳米粒子形成的电子传输层。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、专利文献1:日本公表专利公报“特表2018-517247号”
技术实现思路
1、本专利技术所要解决的技术问题
2、在量子点的情况下，为了防止量子点彼此的凝聚，在各量子点的表面具备由具有一定程度的长度的有机分子构成的有机配体。因此，由具备有机配体的量子点构成的发光层的表面显示出非极性(疏水性)。另一方面，为了分散显示极性的金属氧化物纳米粒子(例如zno纳米粒子)，需要使用极性溶剂。因此，在呈现非极性的基底层，例如呈现非极性(疏水性)的发光层的表面的正上方形成有由极性溶剂和呈现极性的金属氧化物纳米粒子构成的金属氧化物纳米粒子溶液的情况下，由于金属氧化物纳米粒子溶液被排斥，因此涂布特性显著变差，也产生涂布不均等，因此存在金属氧化物纳米粒子的成膜性非常差的问题。
<...【技术保护点】
1.一种发光元件，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子是包含Zn、Mg、Ti、Si、Sn、W、Ta、Ba、Zr、Al、Y及Hf中的至少一种的金属氧化物的纳米粒子。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子为氧化锌或氧化镁锌的纳米粒子。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述芳香族衍生物还包含给电子基团。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述给电子基团为氨基、甲氧基、乙氧基及质子中的任一种。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的苯环骨架的芳香族衍生物为苯甲酸、氨基苯甲酸、甲氧基苯甲酸和乙氧基苯甲酸中的任一种。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的联苯骨架的芳香族衍生物为联苯羧酸、氨基联苯羧酸、甲氧基联苯羧酸及乙氧基联苯羧酸中的任一种。
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10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子是包含Ni、Mg、Mo、Cu、Co、Cr及Ti中至少一种的金属氧化物的纳米粒子。
11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子为氧化镍的纳米粒子。
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述芳香族衍生物还包含吸电子基团。
13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述吸电子基团为硝基、氰基、氯基、溴基、氟基和三氟甲基中的任一种。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的苯环骨架的芳香族衍生物为硝基苯甲酸、氰基苯甲酸、氯苯甲酸、溴苯甲酸、氟苯甲酸和三氟甲基苯甲酸中的任一种。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上的羧基的联苯骨架的芳香族衍生物为硝基联苯羧酸、氰基联苯羧酸、氯联苯羧酸、溴联苯羧酸、氟联苯羧酸和三氟甲基联苯羧酸中的任一种。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一层为包含量子点和有机配体的发光层。
17.根据权利要求1至15中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述第一层是有机发光层。
18.根据权利要求2至8中任一项所述的发光元件，其特征在于，
19.根据权利要求9至15中任一项所述的发光元件，其特征在于，
20.一种显示装置，其特征在于，在基板上设置有多个权利要求1至19中任一项所述的发光元件，
21.一种发光元件的制造方法，其特征在于，包括:
22.根据权利要求21所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述混合溶液是搅拌在所述极性溶剂中分散了所述金属氧化物纳米颗粒的金属氧化物纳米颗粒分散液的同时，添加所述芳香族衍生物来制造的。
23.根据权利要求21或22所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二层的工序中，在所述第一层的正上方形成所述混合溶液之后进行热处理，形成所述第二层。
24.根据权利要求21至23中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，使用醇类的溶剂或二甲基亚砜作为所述极性溶剂。
25.如权利要求21至24中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述混合溶液中的所述芳香族衍生物的添加量为5mg/ml以上且50mg/ml以下。
26.如权利要求21至25中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述第二层的工序中，利用喷墨法在所述第一层的正上方形成所述混合溶液。
27.根据权利要求21至26中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子具有电子传输性，所述第二层是电子传输层。
28.根据权利要求21至26中任一项所述的发光元件的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子具有空穴传输性，所述第二层是空穴传输层。
29.一种显示装置的制造方法，其特征在于，在基板上根据权利要求21至28中的任一项所述的发光元件的制造方法形成发光元件。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种发光元件，其特征在于，包括:
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子是包含zn、mg、ti、si、sn、w、ta、ba、zr、al、y及hf中的至少一种的金属氧化物的纳米粒子。
4.根据权利要求3所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子为氧化锌或氧化镁锌的纳米粒子。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述芳香族衍生物还包含给电子基团。
6.根据权利要求5所述的发光元件，其特征在于，所述给电子基团为氨基、甲氧基、乙氧基及质子中的任一种。
7.根据权利要求2至6中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的苯环骨架的芳香族衍生物为苯甲酸、氨基苯甲酸、甲氧基苯甲酸和乙氧基苯甲酸中的任一种。
8.根据权利要求2至7中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的联苯骨架的芳香族衍生物为联苯羧酸、氨基联苯羧酸、甲氧基联苯羧酸及乙氧基联苯羧酸中的任一种。
9.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子是包含ni、mg、mo、cu、co、cr及ti中至少一种的金属氧化物的纳米粒子。
11.根据权利要求10所述的发光元件，其特征在于，所述金属氧化物纳米粒子为氧化镍的纳米粒子。
12.根据权利要求9至11中的任一项所述的发光元件，其特征在于，所述芳香族衍生物还包含吸电子基团。
13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，所述吸电子基团为硝基、氰基、氯基、溴基、氟基和三氟甲基中的任一种。
14.根据权利要求9至13中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上羧基的苯环骨架的芳香族衍生物为硝基苯甲酸、氰基苯甲酸、氯苯甲酸、溴苯甲酸、氟苯甲酸和三氟甲基苯甲酸中的任一种。
15.根据权利要求9至14中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述具有一个以上的羧基的联苯骨架的芳香族衍生物为硝基联苯...
【专利技术属性】
技术研发人员：曲阳，
申请(专利权)人：夏普显示科技株式会社，
类型：发明
国别省市：
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