一种沟槽型快恢复二极管制作方法技术

本发明专利技术公开了一种沟槽型快恢复二极管芯片结构及其制作方法，其结构为在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区，在N‑漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有P+区；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的P+层和其下的P层后一直到达漂移区N‑层，沟槽底部下侧N‑浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及P+区相连接，在重掺N+衬底下面设置有背面金属阴极电极。通过本发明专利技术的工艺扩散进入N‑层的金或铂仅在沟槽底部的N‑区局部浅表层中，这样的金或铂的杂质分布，可以获得更低的正向压降及更高的软度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体是一种沟槽型快恢复二极管芯片及其制作方法。

技术介绍

1、快恢复二极管(简称frd)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、pwm脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。

2、现有技术中为了降低恢复时间，通常采用通过减少二极管中的载流子寿命来实现。确切地说，通过电子辐射、质子辐射、氦辐射和或在二极管的硅中扩散金或铂等处理工艺，可以实现上述目的。图5表示二极管的反向恢复特性，ta和tb时间内的反向电流可以除去器件中建立起来的电荷，同时在正向状态下接通。然而，如果反向电流朝着反向恢复时间的后期降低得过快，那么偏离的电路电感可能会引起整个器件的电压增大。软度s测量的是tb/ta，有助于确定偏离电路电感是否会过大。一般来说，软度大于1.0的器件在反向恢复时，不会因偏离电路电感的问题对器件造成损伤。本专利技术主要通过采取措施来增大软度s的值，确保器件使用时不容易发生损伤，同时能获得更低的正向压降。

技术实现思路

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【技术保护点】

1.一种沟槽型快恢复二极管芯片结构，其特征在于：在重掺N+衬底上设置有N-漂移区，在N-漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有P+区；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的P+层和其下的P层后一直到达漂移区N-层，沟槽底部下侧N-浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及P+区相连接，在重掺N+衬底下面设置有背面金属阴极电极。

2.一种沟槽型快恢复二极管芯片的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型快恢复二极管芯片结构，其特征在于：正面...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型快恢复二极管芯片结构，其特征在于：在重掺n+衬底上设置有n-漂移区，在n-漂移区上有源区内设置有p区，在p区上设置有p+区；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的p+层和其下的p层后一直到达漂移区n-层，沟槽底部下侧n-浅表区分布有掺入的金或者铂等重金属，沟槽内填有二氧化硅和多晶硅，在芯片表面设置有正面金属阳极电极，与沟槽内多晶硅及p+区相连接，在重掺n+衬底下面设置有背面金属阴极电极。

2.一种沟槽型快恢复二极管芯片的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：

3.根据权利要求1所述的一种沟槽型快恢复二极管芯片结构，其特征在于：正面金属阳极电极与沟槽内...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶祖刚，项建辉，王民安，郑春鸣，沈永红，廖亮亮，陈丽萍，饶永萍，徐静，吴贤龙，王玲，
申请(专利权)人：黄山芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：