【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体是一种用于功率半导体器件的微超结结构及其制造方法。
技术介绍
1、场效应管是由电压控制的一种具有开关、放大作用的半导体器件，其中垂直双扩散金属氧化物半导体(场效应管vertical double-diffused metal oxidesemiconductor，简称vdmos)是场效应管中的一种，具有输入阻抗大、开关速度快等优点，广泛应用于电机调速、逆变器、不间断电源、电子开关等领域中。
2、现有技术中通常采用两种技术方案实现超结结构：
3、一种是采用多层外延方式，每层外延后通过选择性掺杂，多层外延掺杂上下叠拼后，最终形成“糖葫芦”状p-n-交叉分布的超结结构；
4、另一种是采用深沟槽方式，在外延层中制作深沟槽，再在沟槽中生长与沟槽外不同掺杂类型的外延层，最终形成p-n-交叉分布的超结结构；
5、上述两种现有技术虽然可以获得更低的器件导通电阻，但不足之处在于其制造成本很高。
技术实现思路
1、解决的技术问题
...【技术保护点】
1.一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，步骤1中：
3.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，步骤2中：
4.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，在步骤3中：
5.一种用于功率半导体器件的微超结结构，其特征在于：采用如权利要求1-4所述的制造方法制造而得。
6.根据权利要求5所述的一种用于功率半导体器件的微超结...
【技术特征摘要】
1.一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，步骤1中：
3.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，步骤2中：
4.根据权利要求1所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构的制造方法，其特征在于，在步骤3中：
5.一种用于功率半导体器件的微超结结构，其特征在于：采用如权利要求1-4所述的制造方法制造而得。
6.根据权利要求5所述的一种用于功率半导体器件的微超结结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：饶祖刚，项建辉，王民安，沈永红，郑科峰，叶少华，陈丽萍，钱劲，王可花，汪璐，汪达晖，
申请(专利权)人：黄山芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。