温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种用于功率半导体器件的微超结结构及其制造方法，在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区,在N‑漂移区上元胞区内设置有P‑N‑交叉分布的微超结结构，在P‑N‑交叉分布的微超结结构上设置有交叉分布P阱区和N颈区，P阱区位于P‑区之上且横向宽...
该专利属于黄山芯微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山芯微电子股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。