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本发明公开了一种沟槽型快恢复二极管芯片结构及其制作方法，其结构为在重掺N+衬底上设置有N‑漂移区，在N‑漂移区上有源区内设置有P区，在P区上设置有P+区；在有源区表层设置有相互平行的纵向沟槽，且沟槽穿过有源区表层的P+层和其下的P层后一直到...
该专利属于黄山芯微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过黄山芯微电子股份有限公司授权不得商用。

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