一种用于真空镀膜的阶梯型坩埚制造技术

本发明专利技术提供了一种用于真空镀膜的阶梯型坩埚，包括镀膜辊；和坩埚，设置于所述镀膜辊的下方，至少包围所述镀膜辊下部的一部分，所述坩埚包括与所述镀膜辊轴线同向延伸，在水平方向排列的多个坩埚槽，多个所述坩埚槽排列成阶梯状，自所述镀膜辊正下方向两侧逐级升高。本发明专利技术可在实现有效镀膜面积最大化的同时，使各坩埚槽内蒸发材料与镀膜辊之间的蒸发距离均相等且能够保持稳定，最终在基材表面形成致密均匀的单一材料薄膜或复合材料薄膜，且补料过程简单方便，本发明专利技术适用于熔点低于300℃的蒸发材料，尤其适用于金属锂等低熔点材料的蒸发镀膜。

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施例一般涉及真空镀膜领域，并且更具体地，涉及一种用于真空镀膜的阶梯型坩埚。

技术介绍

1、近年来，功能材料薄膜和复合薄膜有了较大的发展，镀膜技术及薄膜产品在工业上的应用非常广泛，尤其是在电子材料与元器件工业领域中占有极其重要的地位。镀膜方法可以分为气相生成法，氧化法，离子注入法，扩散法，电镀法，涂布法，液相生长法等，其中，气相生成法又可分为物理气相沉积法，化学气相沉积法和放电聚合法等。

2、物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压环境，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积技术主要分为真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜三类。

3、其中，真空蒸镀是在真空条件下，将蒸发材料加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体蒸发材料或升华离开固体蒸发材料表面，并最终沉积在基体表面上的技术。

4、公开号为jp6771887b2的专利公开了一种蒸发源及伸缩式真空沉积设备，其设置了一种蒸发源，设置在主辊的正下方位置处，且只设置一个坩埚容器，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

6.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

7.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

8.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

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【技术特征摘要】

1.一种用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

5.根据权利要求1所述的用于真空镀膜的阶梯型坩埚，其特征在于：

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：北京卫蓝新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：