【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜制备,具体涉及一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法。
技术介绍
1、在集成电路产业高速发展的今天,高频化、小型化和集成化已成为电子设备的主要发展趋势,特别是基础产品器件对片上系统(soc)、微系统(ms)和系统级封装(sip)的集成度和功能要求越来越高,这要求设计和制造技术的不断创新和突破,以实现更高的集成度和更丰富的功能。而电感作为电子电路的三大无源线性元器件之一,在消费电子、工业设备、射频通信和能量传输等领域中具有重要的应用背景,迫切需要通过微电子制造工艺进行高度集成,与其他电子元件和功能模块共同集成在同一芯片或封装中,实现更高的集成度和简化的电路布局,减少系统的尺寸和复杂性。金属磁性薄膜虽然能与半导体工艺兼容,但其较低的电阻率制约了集成器件的高频化,而nizn铁氧体薄膜属于尖晶石类材料,因其电阻率高,在高频下具有涡流损耗和趋肤效应影响小的优势,在soc、ms和sip中具有重要的应用前景,因此制备高质量的nizn铁氧体薄膜显得尤为重要。
2、然而传统nizn铁氧体薄膜的制备方法包括物理方法和
...【技术保护点】
1.一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,步骤3中,将清洗后的反应台加热至50~60℃后,将玻璃基板放置于反应台中央。
【技术特征摘要】
1.一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的(222...
【专利技术属性】
技术研发人员:余忠,陈婧莎,王宏,李启帆,窦海之,邬传健,孙科,蒋晓娜,兰中文,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。