一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法技术

技术编号:41208783 阅读:19 留言:0更新日期:2024-05-09 23:30
本发明专利技术提供的一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,属于薄膜制备技术领域。本发明专利技术基于氧化还原反应原理,利用旋转喷涂设备将氧化液和还原液按一定比例通过超声雾化系统均匀地附着于玻璃衬底上,在完成一系列化学反应后形成连续且致密的铁氧体薄膜,通过改变还原液中氯化亚铁的浓度,控制不同晶面的沉积速率,进而调控NiZn铁氧体薄膜的生长取向。经过以上工艺低温沉积制备出的NiZn铁氧体薄膜能够实现与半导体工艺的兼容,同时取向由NiZn铁氧体的(311)取向逐渐沿(222)择优取向生长,显微结构逐渐形成明显的三角形晶粒,从而使得薄膜生长更加均匀,薄膜质量得到显著提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备,具体涉及一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法


技术介绍

1、在集成电路产业高速发展的今天,高频化、小型化和集成化已成为电子设备的主要发展趋势,特别是基础产品器件对片上系统(soc)、微系统(ms)和系统级封装(sip)的集成度和功能要求越来越高,这要求设计和制造技术的不断创新和突破,以实现更高的集成度和更丰富的功能。而电感作为电子电路的三大无源线性元器件之一,在消费电子、工业设备、射频通信和能量传输等领域中具有重要的应用背景,迫切需要通过微电子制造工艺进行高度集成,与其他电子元件和功能模块共同集成在同一芯片或封装中,实现更高的集成度和简化的电路布局,减少系统的尺寸和复杂性。金属磁性薄膜虽然能与半导体工艺兼容,但其较低的电阻率制约了集成器件的高频化,而nizn铁氧体薄膜属于尖晶石类材料,因其电阻率高,在高频下具有涡流损耗和趋肤效应影响小的优势,在soc、ms和sip中具有重要的应用前景,因此制备高质量的nizn铁氧体薄膜显得尤为重要。

2、然而传统nizn铁氧体薄膜的制备方法包括物理方法和化学方法,物理方法中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,步骤3中,将清洗后的反应台加热至50~60℃后,将玻璃基板放置于反应台中央。

【技术特征摘要】

1.一种(222)取向生长镍锌铁氧体薄膜低温制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的(222...

【专利技术属性】
技术研发人员:余忠陈婧莎王宏李启帆窦海之邬传健孙科蒋晓娜兰中文
申请(专利权)人:电子科技大学
类型:发明
国别省市:

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