基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置制造方法及图纸

本申请涉及一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置，方法包括：对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，施加电应力至HEMT器件的当前测量位置，并在预设时间间隔后获得当前测量位置在施加电应力后的拉曼光谱特征峰值，且基于拉曼光谱特征峰值确定当前测量位置的拉曼光谱特征峰偏移量；改变待测HEMT器件的测量位置，得到待测HEMT器件的多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量；根据多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与电应力计算多个位置的电场强度，基于多个位置的电场强度得到待测HEMT器件的缺陷浓度和缺陷分布。由此，解决了现有的缺陷测量方法尚不能实现HEMT器件缺陷分布和浓度的高空间分辨率测量的问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及测量，特别涉及一种基于拉曼测量hemt缺陷浓度及位置表征的方法、装置。

技术介绍

1、以氮化镓(gan)为主要材料的第三代半导体带动了电子行业的快速发展。与以硅(si)为主要材料的第一代半导体和以砷化镓(gaas)为主要材料的第二代半导体相比，gan具有诸多优势，其主要表现在：(1)拥有较高的电子迁移率和电子饱和速度，意味着工作状态下拥有较高的饱和电流；(2)拥有较高的击穿场强，表明工作状态下可承受较高的偏压；(3)拥有较高的禁带宽度，因此器件在高温下本征载流子浓度较小，发热较弱，从而使得器件耐受更高的工作温度；(4)拥有较高的热导率，可使器件有较强的散热能力，在单位面积内可布置更多芯片，达成较高的集成度；(5)化学性质稳定，具有较强的抗辐射能力。上述优点致使以gan为主要材料的第三代半导体器件可应用于高温、高压及高频等极端工作条件下，是目前光电子、电力电子和微波射频领域的核心研究目标。

2、gan基hemt器件是第三代半导体器件中最为重要的组成部分。1991年khan等人在蓝宝石衬底上成功制备出了algan/gan异质结，并于两年后本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与所述电应力计算所述多个位置的电场强度，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述电场强度得到所述待测HEMT器件的缺陷浓度和缺陷分布，包括：

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还...

【技术特征摘要】

1.一种基于拉曼测量hemt缺陷浓度及位置表征的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对待测高电子迁移率晶体管hemt器件进行拉曼光谱检测，包括：

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述多个位置的拉曼光谱特征峰偏移量与所述电应力计算所述多个位置的电场强度，包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述电场强度得到所述待测hemt器件的缺陷浓度和缺陷分布，包括：

5.根据权利要求1所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兴，李凤仪，樊傲然，薛娟，马维刚，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：