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本申请涉及一种基于拉曼测量HEMT缺陷浓度及位置表征的方法、装置，方法包括：对待测高电子迁移率晶体管HEMT器件进行拉曼光谱检测，施加电应力至HEMT器件的当前测量位置，并在预设时间间隔后获得当前测量位置在施加电应力后的拉曼光谱特征峰值，且...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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