【技术实现步骤摘要】
本技术属于低压电器，具体涉及隔离开关或断路器结合面的绝缘结构。
技术介绍
1、隔离开关或断路器是一种普遍应用的电路部件，用于控制电路中至少一相的通断。
2、目前，用于多相的隔离开关或断路器内设置有多个单极通断腔室，并且多个单极通断腔室之间通过绝缘隔断，从而多个单极通断腔室之间能够相对保持绝缘，为了简化设计，市场上很多隔离开关或断路器均采用两个半壳体拼合形成，相应地，用于多相的隔离开关或断路器内绝缘隔断也由两个半壳体上的相对可拼合构造形成。
3、但随着电路系统的不断发展，系统中负荷的不断增加，隔离开关或断路器的工况电压也随之逐渐升高，这就使的现有的隔离开关或断路器内的绝缘隔断的绝缘性日益显得捉襟见肘了。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，显著提高了隔离开关或断路器内的绝缘隔断的绝缘性，从而提高了隔离开关或断路器的工况电压标准。
2、为实现上述目的，本技术提供了如下技术方案为：
3、隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，隔离开关或断路器的壳体由两个半壳体结合形成，半壳体的内壁形成有至少一个隔断绝缘半壁，两个半壳体通过至少两个隔断绝缘半壁形成至少两个单极通断腔室，单极通断腔室内空间由灭弧栅片区、电弧发生区以及导电回路区依次连续形成，隔断绝缘半壁具有绝缘结合端面，其特征在于，其中：绝缘结合端面具有连续且与灭弧栅片区、电弧发生区以及导电回路区分别对应的插槽配合面部、“e”形插槽配合面部以及“凹”形错位
4、优选地，隔断插入实体沿自身延伸方向的两侧具有对称的两个隔断爬电台阶面，从而插槽配合面部形成至少七段不连续的爬电间隙，“e”形插槽配合面部形成至少九段不连续的爬电间隙。
5、进一步地，隔断爬电长槽的两端相对隔断插入实体的外部封闭，从而在对应隔断爬电长槽封闭端的内壁形成爬电间隙。
6、优选地，半壳体的中部具有一个隔断绝缘半壁，从而单极通断腔室的数量为两个。
7、优选地，半壳体两个相对边缘还分别形成有壳体绝缘半壁，壳体绝缘半壁具有绝缘闭合端面，绝缘闭合端面具有连续且与灭弧栅片区、电弧发生区对应的第一插入配合面部，以及与导电回路区对应的第二插入配合面部，将一个半壳体的绝缘闭合端面作为第一绝缘闭合端面，另一个半壳体的绝缘闭合端面作为第二绝缘闭合端面，第一绝缘闭合端面具有闭合插入筋块和形成于闭合插入筋块边缘的第三“凹”形配合筋片，闭合插入筋块位于第一插入配合面部，第三“凹”形配合筋片位于第二插入配合面部，第二绝缘闭合端面具有闭合实体、形成于闭合实体上的闭合配合长槽和形成于闭合实体的边缘的闭合插入筋片，闭合配合长槽位于第一插入配合面部，闭合插入筋片位于第二插入配合面部，闭合插入筋片插入第三“凹”形配合筋片，从而在第二插入配合面部形成至少三段不连续的爬电间隙。
8、进一步地，闭合插入筋片沿自身延伸方向的两侧具有对称的两个闭合爬电台阶面，从而第二插入配合面部形成至少五段不连续的爬电间隙。
9、与现有技术相比，本技术的有益效果是：
10、1.因为本技术的绝缘结合端面具有连续且与灭弧栅片区、电弧发生区以及导电回路区分别对应的插槽配合面部、“e”形插槽配合面部以及“凹”形错位配合面部，将一个半壳体的绝缘结合端面作为第一绝缘结合端面，另一个半壳体的绝缘结合端面作为第二绝缘结合端面，第一绝缘结合端面具有隔断插入实体、形成于隔断插入实体上的隔断爬电长槽和位于隔断插入实体边缘的第一“凹”形配合筋片，隔断爬电长槽自插槽配合面部延伸至“e”形插槽配合面部，第一“凹”形配合筋片位于“凹”形错位配合面部，第二绝缘结合端面具有隔断配合长槽、辅助爬电实体以及第二“凹”形配合筋片，隔断配合长槽自插槽配合面部延伸至“e”形插槽配合面部，辅助爬电实体位于“e”形插槽配合面部且辅助爬电实体形成于隔断配合长槽的内部，并且辅助爬电实体的延伸方向与隔断配合长槽相同，第二“凹”形配合筋片位于“凹”形错位配合面部，隔断插入实体插入隔断配合长槽内部，在插槽配合面部形成至少五段不连续的爬电间隙，在“e”形插槽配合面部形成至少七段不连续的爬电间隙，第一“凹”形配合筋片与第二“凹”形配合筋片均呈“凹”形，且相互错位插入，从而在“凹”形错位配合面部形成至少三段不连续的爬电间隙，即通过在绝缘结合端面上弯折形成更多个不连续面，使得在通过绝缘结合端面形成绝缘隔断的内部的爬电间隙更多，也即在更大的结合面上产生爬电间隙，因此，本技术显著提高了隔离开关或断路器内的绝缘隔断的绝缘性，从而提高了隔离开关或断路器的工况电压标准。
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1.隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，所述隔离开关或断路器的壳体由两个半壳体结合形成，所述半壳体的内壁形成有至少一个隔断绝缘半壁，所述两个半壳体通过至少两个所述隔断绝缘半壁形成至少两个单极通断腔室，该单极通断腔室内空间由灭弧栅片区、电弧发生区以及导电回路区依次连续形成，所述隔断绝缘半壁具有绝缘结合端面，其特征在于，其中：
2.根据权利要求1所述的隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，其特征在于：
3.根据权利要求2所述的隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.隔离开关或断路器结合面的绝缘结构，所述隔离开关或断路器的壳体由两个半壳体结合形成，所述半壳体的内壁形成有至少一个隔断绝缘半壁，所述两个半壳体通过至少两个所述隔断绝缘半壁形成至少两个单极通断腔室，该单极通断腔室内空间由灭弧栅片区、电弧发生区以及导电回路区依次连续形成，所述隔断绝缘半壁具有绝缘结合端面，其特征在于，其中：
2.根据权利要求1所述的隔离开关或断...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔华，曹林，张缪鹏，漆昌建，
申请(专利权)人：上海思源低压开关有限公司，
类型：新型
国别省市：
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