【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种晶圆追踪方法及系统。
技术介绍
1、在晶圆制备过程中，晶圆要经过上千道工序，几百台工艺机台才能完成芯片制造。每一个工艺异常均可造成晶圆缺陷，比如机台报警导致缺陷。圆生产过程中的缺陷会对晶圆的最终良率造成很大的影响，低良产品不仅会导致客户拒收，同时影响公司形象，对公司也会造成经济损失。因此，通常会在出货前进行最终的电性测试，根据测试结果来决定是否满足出货良率要求。但光靠最终测试来决定产品是否能出货，不仅周期长，且浪费资源。为此通常会在中间制程工艺中添加良率检测站点，一发现异常及时止损；但是在中间工艺检测到缺陷时，由于整体工艺没有走完，无法如最终电性测试那样直观判断是否对最终良率有影响。
2、但是，对于有缺陷的晶圆不一定全部进行报废。比如，当由于晶圆表面的灰尘造成晶圆的缺陷时，当而灰尘尺寸很小，晶圆能够正常使用时，则该缺陷晶圆还可以保留。因此，该缺陷晶圆继续进行后续的工艺。但是，如果该缺陷晶圆在后续的工艺中，聚集的灰尘越来越多，或者或者聚集的灰尘尺寸越来越大时，已经严重影响晶圆的正常使用，则该晶...
【技术保护点】
1.一种晶圆追踪方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S1中，所述缺陷晶圆的影响因子包括技术节点、工艺平台、图形、形貌、类型、数量和尺寸。
3.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S4中，基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废：
4.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S4之后，该晶圆追踪方法还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述S2中，所述被追踪缺陷晶圆的判断方法包括以下步骤：
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【技术特征摘要】
1.一种晶圆追踪方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s1中，所述缺陷晶圆的影响因子包括技术节点、工艺平台、图形、形貌、类型、数量和尺寸。
3.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s4中，基于被追踪缺陷晶圆的杀伤力，判断该被追踪缺陷晶圆是否报废：
4.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s4之后，该晶圆追踪方法还包括：
5.根据权利要求1所述的晶圆追踪方法，其特征在于，在所述s2中，所述被追踪缺陷晶圆的判断方法包括以下步骤：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：胡向华，庄均珺，倪棋梁，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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