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本发明提供了一种晶圆追踪方法及系统，属于半导体领域。该晶圆追踪方法包括S1：获取缺陷晶圆的影响因子，并构建缺陷晶圆的杀伤力模型；S2：获取被追踪缺陷晶圆的影响因子；S3：基于所述杀伤力模型和被追踪缺陷晶圆的影响因子，获取被追踪缺陷晶圆的杀伤...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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