【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体设备，具体而言，涉及一种清洗装置。
技术介绍
1、随着半导体集成电路制造技术的高速发展，集成电路芯片的图形特征尺寸已进入到深亚微米阶段，导致芯片上超细微电路失效或损坏的关键沾污物(例如颗粒)的特征尺寸也随之大为减小。在集成电路的制造工艺过程中，半导体晶圆通常都会经过诸如薄膜沉积、刻蚀、抛光等多道工艺步骤。而这些工艺步骤就成为沾污物产生的重要场所。为了保持晶圆表面的清洁状态，消除在各个工艺步骤中沉积在晶圆表面的沾污物，需要在各个工艺步骤后对晶圆表面进行清洗处理。因此，清洗工艺成为集成电路制作过程中最普遍的工艺步骤。
2、其中，晶圆制备的多数工艺步骤需要在对应工艺腔室内进行，例如湿法刻蚀。而部分工艺会使用到较多的化学品，其中，某些挥发性较强的化学品(例如：盐酸、碘化钾等)会在工艺过程中进行挥发，并在工艺腔室内部形成化学品废液结晶，该化学品废液结晶将造成工艺腔室环境的污染，且在制程过程中存在掉落在晶圆表面上形成晶圆缺陷的可能，进而严重影响良率。为解决上述问题，目前较常用的方式是设备停机进行人工清洗。然而，停机开盖进行人工清洗的方式存在严重影响产能、耗费人力，且清洗效率不高、清洗不到位的情况。因此，如何提供一种新的清洗方式对工艺腔室进行清洗是目前亟待解决的技术难题。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种清洗装置，该清洗装置能够对工艺腔室进行有效清洗，且清洗效率高。
2、本技术的实施例是这样实现的：
3、本技术的一方面，提供一种清洗装
4、可选地，清洗装置还包括支架和连接块，支架的一端和驱动机构的输出轴连接、另一端和连接块连接；连接块远离支架的一端和摆臂连接。
5、可选地，清洗装置还包括穿设于支架内的第一管道，第一管道的一端分别和多个喷嘴连通、另一端用于连通第一介质。
6、可选地，清洗装置还包括穿设于支架内的第二管道，第二管道的一端分别和多个喷嘴连通、另一端用于连通第二介质；第一管道和第二管道靠近喷嘴的一端相互连通；第一介质和第二介质不同。
7、可选地，第一介质为纯水，第二介质为氮气。
8、可选地，清洗装置还包括控制器；第一管道上设有与控制器电连接的第一阀门，和/或，第二管道上设有与控制器电连接的第二阀门。
9、可选地，清洗装置还包括控制器和与控制器电连接的加热器，加热器用于对第一管道内的第一介质和/或第二管道内的第二介质进行加热。
10、可选地，摆臂呈柱状结构，多个喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，第一喷嘴沿摆臂的外壁面均匀分布，第二喷嘴分布于摆臂远离驱动机构的一端。
11、可选地，清洗装置还包括第一计数器，以及分别与第一计数器和驱动机构电连接的控制器；第一计数器用于检测摆臂的摆动次数并发送至控制器，控制器用于在摆臂次数到达第一预设值时控制驱动机构停止运动。
12、可选地，清洗装置还包括第二计时器，以及分别与第二计时器和驱动机构电连接的控制器；第二计时器用于检测摆臂的摆动时间并发送至控制器，控制器用于在摆动时间到达第二预设值时控制驱动机构停止运动。
13、本技术的有益效果包括：
14、本申请提供的清洗装置包括驱动机构、摆臂以及设于摆臂上的多个喷嘴；摆臂设于半导体设备的工艺腔室内，多个喷嘴均匀分布于摆臂上，驱动机构与摆臂传动连接，用于驱动摆臂在工艺腔室内进行往复摆动。本申请通过将摆臂设置于半导体设备的工艺腔室内，且在摆臂上设置多个均匀分布的喷嘴，并且通过驱动机构驱动摆臂在工艺腔室内进行往复摆动，这样，可以实现对工艺腔室的不同角落进行全方位喷淋清洗，相对于人工清洗而言，本申请的清洗装置能够对工艺腔室进行有效清洗，且清洗效率高，能够降低人工成本。
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1.一种清洗装置，其特征在于，包括驱动机构、摆臂以及设于所述摆臂上的多个喷嘴；所述摆臂设于半导体设备的工艺腔室内，多个所述喷嘴均匀分布于所述摆臂上，所述驱动机构与所述摆臂传动连接，用于驱动所述摆臂在所述工艺腔室内进行往复摆动。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括支架和连接块，所述支架的一端和所述驱动机构的输出轴连接、另一端和所述连接块连接；所述连接块远离所述支架的一端和所述摆臂连接。
3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括穿设于所述支架内的第一管道，所述第一管道的一端分别和多个所述喷嘴连通、另一端用于连通第一介质。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括穿设于所述支架内的第二管道，所述第二管道的一端分别和多个所述喷嘴连通、另一端用于连通第二介质；所述第一管道和所述第二管道靠近所述喷嘴的一端相互连通；所述第一介质和所述第二介质不同。
5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述第一介质为纯水，所述第二介质为氮气。
6.根据权利要求4所述
7.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括控制器和与所述控制器电连接的加热器，所述加热器用于对所述第一管道内的第一介质和/或所述第二管道内的第二介质进行加热。
8.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述摆臂呈柱状结构，所述多个喷嘴包括第一喷嘴和第二喷嘴，所述第一喷嘴沿所述摆臂的外壁面均匀分布，所述第二喷嘴分布于所述摆臂远离所述驱动机构的一端。
9.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括第一计数器，以及分别与所述第一计数器和所述驱动机构电连接的控制器；所述第一计数器用于检测所述摆臂的摆动次数并发送至所述控制器，所述控制器用于在所述摆动次数到达第一预设值时控制所述驱动机构停止运动。
10.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括第二计时器，以及分别与所述第二计时器和所述驱动机构电连接的控制器；所述第二计时器用于检测所述摆臂的摆动时间并发送至所述控制器，所述控制器用于在所述摆动时间到达第二预设值时控制所述驱动机构停止运动。
...【技术特征摘要】
1.一种清洗装置，其特征在于，包括驱动机构、摆臂以及设于所述摆臂上的多个喷嘴；所述摆臂设于半导体设备的工艺腔室内，多个所述喷嘴均匀分布于所述摆臂上，所述驱动机构与所述摆臂传动连接，用于驱动所述摆臂在所述工艺腔室内进行往复摆动。
2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括支架和连接块，所述支架的一端和所述驱动机构的输出轴连接、另一端和所述连接块连接；所述连接块远离所述支架的一端和所述摆臂连接。
3.根据权利要求2所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括穿设于所述支架内的第一管道，所述第一管道的一端分别和多个所述喷嘴连通、另一端用于连通第一介质。
4.根据权利要求3所述的清洗装置，其特征在于，所述清洗装置还包括穿设于所述支架内的第二管道，所述第二管道的一端分别和多个所述喷嘴连通、另一端用于连通第二介质；所述第一管道和所述第二管道靠近所述喷嘴的一端相互连通；所述第一介质和所述第二介质不同。
5.根据权利要求4所述的清洗装置，其特征在于，所述第一介质为纯水，所述第二介质为氮气。
6.根据权利要求4所述的清...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗涛，封明辉，冯正林，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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