【技术实现步骤摘要】
本申请涉及芯片领域，具体而言，涉及一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法及系统。
技术介绍
1、半导体晶圆制造过程，主要包括晶圆正面金属化工艺(sputter)，或者背面金属化(sputter)以及真空蒸镀等pvd工艺，在以上工艺过程中需要在晶圆的一侧形成导电薄膜。四探针测量方法被广泛应用于各个领域中方块电阻rs的测量，尤其是在半导体集成电路芯片生产制造中，四探针测量是各类导电薄膜相关制备工艺检测的必备手段。
2、采用四探针测量薄膜方块电阻需要探针扎入样品，四探针测量薄膜方块电阻具有破坏性。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法及系统，以至少部分改善上述问题。
2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，所述方法包括：基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点，其中，所述测量坐标点位于所述晶圆的设计版图中的切割道或非有效芯片区域；在所述晶圆完成正面金属化且放置于电阻测量机台后，所述电阻测量机台基于所述至少一组测量坐标点进行正面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻。
4、第二方面，本申请实施例提供一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量系统，所述系统包括：上位机和与上位机通信连接的电阻测量机台；
5、所述上位机用于基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点，其中，所述测量坐标点位于所述晶圆的设计版图
6、在所述晶圆完成正面金属化且放置于电阻测量机台后，所述电阻测量机台用于基于所述至少一组测量坐标点进行正面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻。
7、相对于现有技术，本申请实施例所提供的一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法及系统，包括：基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点，其中，测量坐标点位于晶圆的设计版图中的切割道或非有效芯片区域；在晶圆完成正面金属化且放置于电阻测量机台后，电阻测量机台基于至少一组测量坐标点进行正面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻。在进行正面薄膜四探针测量时，电阻测量机台的探针头扎入测量坐标点对应的位置，即扎入预留的切割道或非有效芯片区域，不会对芯片区域造成破坏，不影响产品的良品率。
8、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，在获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻之后，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述按照预设弧长间隔在每一个圆圈上确定对应的测量坐标点的步骤，包括：
5.如权利要求3所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，共有N组预设半径，N≥3；
6.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述电阻测量机台基于所述至少一组测量坐标点进行正面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻的步骤，包括：
7.如权利要求2所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述电阻测量机台基于所述至少一组测量坐标点进行背面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应
8.一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量系统，其特征在于，所述系统包括：上位机和与上位机通信连接的电阻测量机台；
9.如权利要求8所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量系统，其特征在于，在所述晶圆完成背面金属化且放置于电阻测量机台后，所述电阻测量机台还用于基于所述至少一组测量坐标点进行背面薄膜四探针测量，以获取每一个测量坐标点对应的背面薄膜方块电阻。
10.如权利要求8所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量系统，其特征在于，所述基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，在获取每一个测量坐标点对应的正面薄膜方块电阻之后，所述方法还包括：
3.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述基于晶圆的设计版图确定至少一组测量坐标点的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述按照预设弧长间隔在每一个圆圈上确定对应的测量坐标点的步骤，包括：
5.如权利要求3所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，共有n组预设半径，n≥3；
6.如权利要求1所述的晶圆表面导电薄膜方块电阻测量方法，其特征在于，所述电阻测量机台基于所述至少一组测量坐标点进行正面薄膜四探针测量，以获...
【专利技术属性】
技术研发人员：符杰，黄庆波，封明辉，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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