【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
1、在完成晶圆(简称，wafer)的正面器件图形后，需要进行晶圆的背面光刻工艺。在进行背面光刻工艺过程中，涉及到光刻胶涂布、曝光以及显影等工艺，在执行上述工艺工程中，容易刮伤损坏正面器件图形。
2、本领域技术人员开始关注如何在背面光刻工艺过程对正面器件图形进行保护，提升良品率。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，以至少部分改善上述问题。
2、为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：
3、第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件制造方法，所述方法包括：
4、对目标晶圆的正面涂覆光刻胶，其中，所述目标晶圆为正面器件图形已完成的晶圆；
5、在正面涂覆光刻胶完成后，对所述目标晶圆的背面进行研磨工艺；
6、在研磨工艺完成后，对所述目标晶圆的背面涂覆光刻胶，进行背面光刻工艺，其中，背面涂覆的光刻胶与正面涂覆的光刻胶为相同材料的光刻胶；
7、在背面光刻工艺完成后，对所述目标晶圆的背面进行背面离子注入工艺；
8、在背面离子注入工艺完成后，对所述目标晶圆的正面上的光刻胶和背面上的光刻胶进行同步去除。
9、可选地，在正面涂覆光刻胶完成后，进行研磨工艺前，所述方法包括：
10、对所述目标晶圆的正面贴上uv膜；
11、在研磨工艺完成后，进行背面光刻工艺前，所述
12、对所述目标晶圆的正面的所述uv膜进行剥离。
13、可选地，所述对目标晶圆的正面涂覆光刻胶的步骤，包括：
14、对所述目标晶圆的正面进行清洗；
15、在清洗完成后，通过旋转涂布的方式，在所述目标晶圆的正面涂布一层光刻胶；
16、对所述目标晶圆的正面上的光刻胶进行固化处理。
17、可选地，所述对所述目标晶圆的正面上的光刻胶进行固化处理的步骤，包括：
18、通过设备加热板对所述目标晶圆的正面上的光刻胶进行烘烤。
19、可选地，所述目标晶圆的正面涂覆的光刻胶的厚度为3um～5um，对应的偏差度≤5％。
20、可选地，在研磨工艺完成后，对所述目标晶圆的背面涂覆光刻胶前，所述方法还包括：
21、对所述目标晶圆的背面进行湿法刻蚀工艺。
22、可选地，所述进行背面光刻工艺的步骤，包括：
23、对所述目标晶圆的背面进行曝光工艺；
24、在曝光工艺完成后，对所述目标晶圆的背面进行显影工艺。
25、可选地，所述进行背面光刻工艺的步骤，还包括：
26、在显影工艺完成后，对所述目标晶圆的背面进行烘烤。
27、可选地，在对所述目标晶圆的正面上的光刻胶和背面上的光刻胶进行同步去除后，所述方法还包括：
28、对所述目标晶圆进行后续的背面金属化工艺。
29、第二方面，本申请实施例提供一种半导体器件，执行上述的半导体器件制造方法所得到的半导体器件。
30、相对于现有技术，本申请实施例所提供的一种半导体器件及其制造方法，包括：对目标晶圆的正面涂覆光刻胶，其中，目标晶圆为正面器件图形已完成的晶圆；在正面涂覆光刻胶完成后，对目标晶圆的背面进行研磨工艺；在研磨工艺完成后，对目标晶圆的背面涂覆光刻胶，进行背面光刻工艺，其中，背面涂覆的光刻胶与正面涂覆的光刻胶为相同材料的光刻胶；在背面光刻工艺完成后，对目标晶圆的背面进行背面离子注入工艺；在背面离子注入工艺完成后，对目标晶圆的正面上的光刻胶和背面上的光刻胶进行同步去除。在本申请方案中，首先对目标晶圆的正面涂覆光刻胶，通过正面涂覆的光刻胶对正面器件图形进行保护，并且残留的正面涂覆的光刻胶可以与背面涂覆的光刻胶进行同步去除，工艺简单。
31、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
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1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在正面涂覆光刻胶完成后，进行研磨工艺前，所述方法包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述对目标晶圆的正面涂覆光刻胶的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆的正面上的光刻胶进行固化处理的步骤，包括：
5.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述目标晶圆的正面涂覆的光刻胶的厚度为3um～5um，对应的偏差度≤5％。
6.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在研磨工艺完成后，对所述目标晶圆的背面涂覆光刻胶前，所述方法还包括：
7.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述进行背面光刻工艺的步骤，包括：
8.如权利要求7所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述进行背面光刻工艺的步骤，还包括：
9.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在对所述目标晶圆的正面上的
10.一种半导体器件，其特征在于，执行权利要求1至9中任一项所述的半导体器件制造方法所得到的半导体器件。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，在正面涂覆光刻胶完成后，进行研磨工艺前，所述方法包括：
3.如权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述对目标晶圆的正面涂覆光刻胶的步骤，包括：
4.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述对所述目标晶圆的正面上的光刻胶进行固化处理的步骤，包括：
5.如权利要求3所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述目标晶圆的正面涂覆的光刻胶的厚度为3um～5um，对应的偏差度≤5％。
6.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：符杰，黄庆波，封明辉，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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