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本申请提出一种半导体器件及其制造方法，包括：对目标晶圆的正面涂覆光刻胶，其中，目标晶圆为正面器件图形已完成的晶圆；在正面涂覆光刻胶完成后，对目标晶圆的背面进行研磨工艺；在研磨工艺完成后，对目标晶圆的背面涂覆光刻胶，进行背面光刻工艺，其中，背...
该专利属于成都高投芯未半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都高投芯未半导体有限公司授权不得商用。

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