电阻测量系统技术方案

本发明专利技术提供一种电阻测量系统

【技术实现步骤摘要】
电阻测量系统、方法及测试设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体而言，涉及一种电阻测量系统
、
方法及测试设备
。

技术介绍

[0002]场效应晶体管经常被应用在电路中，导通电阻是场效应晶体管最为关键的参数之一，直接影响到应用电路的功能及损耗
。
因此，对场效应晶体管的导通电阻的测量也变得越来越重要
。
[0003]相关技术中，采用测试回路量测场效应晶体管的导通电阻，一些场效应晶体管的导通电阻是毫欧级的，在量测毫欧级的导通电阻时，往往测试回路带来的电阻值已经超过被测场效应晶体管的导通电阻，导致量测的场效应晶体管的导通电阻不准确的问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种电阻测量系统
、
方法及测试设备，以便解决相关技术中所存在的上述技术问题
。
[0005]为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种电阻测量系统，包括：待测场效应晶体管
、
辅助场效应晶体管以及测试设备；所述待测场效应晶体管的源极
、
栅极和漏极分别具有对应的激励接线端和测试接线端，所述辅助场效应晶体管的源极
、
栅极和漏极分别具有对应的激励接线端和测试接线端；所述待测场效应晶体管的漏极与所述辅助场效应晶体管的漏极连接，并固定在载片台上；其中，所述载片台上具有所述待测场效应晶体管的漏极的激励接线端以及测试接线端；所述测试设备的第一栅极激励端和第一栅极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的栅极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第一源极激励端和第一源极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的源极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第一漏极激励端和第一漏极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的漏极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二栅极激励端和第二栅极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的栅极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二源极激励端和第二源极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的源极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二漏极激励端和第二漏极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的漏极的激励接线端和测试接线端
。
[0006]可选的，所述待测场效应晶体管和所述辅助场效应晶体管均为同一型号的场效应晶体管
。
[0007]可选的，所述待测场效应晶体管和所述辅助场效应晶体管均为同一型号的
N
型场效应晶体管，或者，均为同一型号的
P
型场效应晶体管
。
[0008]可选的，所述测试设备包括测试盒以及测试机，所述测试盒上设置有：所述第一栅极激励端
、
所述第一栅极测试端
、
所述第一源极激励端
、
所述第一源极测试端
、
所述第一漏极激励端
、
所述第一漏极测试端
、
所述第二栅极激励端
、
所述第二栅极测试端
、
所述第二源极激励端
、
所述第二源极测试端
、
所述第二漏极激励端
、
所述第二漏极测试端；所述测试盒还和所述测试机通信连接
。
[0009]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电阻测量方法，应用于上述第一方面任一项所述的电阻测量系统中的测试设备，所述方法包括：在待测场效应晶体管的栅极和辅助场效应晶体管的栅极处于开启状态下，根据预设电参数，通过第二源极激励端向所述辅助场效应晶体管输出电信号；通过第一源极测试端获取所述待测场效应晶体管的源极的第一电参数；通过第二源极测试端获取所述辅助场效应晶体管的源极的第二电参数；根据所述预设电参数
、
所述第一电参数以及所述第二电参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻
。
[0010]可选的，在所述在待测场效应晶体管的栅极和辅助场效应晶体管的栅极处于开启状态下，根据预设电参数，通过第二源极激励端向所述辅助场效应晶体管输出电信号之前，所述方法还包括：通过所述第一栅极激励端向所述待测场效应晶体管的栅极的激励接线端发送第一电压信号，并通过所述第二栅极激励端向所述辅助场效应晶体管的栅极的激励接线端发送第二电压信号，以控制待测场效应晶体管的栅极和辅助场效应晶体管的栅极处于开启状态
。
[0011]可选的，所述根据所述预设电参数
、
所述第一电参数以及所述第二电参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻，包括：计算所述第一电参数以及所述第二电参数之间的差值；根据所述差值和所述预设电参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻
。
[0012]可选的，所述预设电参数为预设电流参数，所述第一电参数为第一电压参数，所述第二电参数为第二电压参数，所述计算所述第一电参数以及所述第二电参数之间的差值，包括：计算所述第一电压参数和所述第二电压参数之间的差值，所述差值为所述待测场效应晶体管的源极和所述辅助场效应晶体管的源极之间的电压；所述根据所述差值和所述预设电参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻，包括：根据所述差值和所述预设电流参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻
。
[0013]可选的，所述待测场效应晶体管和所述辅助场效应晶体管均为同一型号的场效应晶体管，所述根据所述差值和所述预设电流参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻，包括：将所述差值除以所述预设电流参数，得到初始电阻，所述初始电阻为所述辅助场效应晶体管的导通电阻和所述待测场效应晶体管的导通电阻之和；根据所述初始电阻，确定所述待测场效应晶体管的导通电阻
。
[0014]第三方面，本专利技术实施例还提供了一种测试设备，包括：电流电压源和处理器，所
述处理器和所述电流电压源连接，所述处理器执行计算机程序时实现上述第一方面任一项所述的电阻测量方法
。
[0015]第四方面，本专利技术实施例还提供一种电阻测量装置，该装置包括：输出模块，用于在待测场效应晶体管的栅极和辅助场效应晶体管的栅极处于开启状态下，根据预设电参数，通过第二源极激励端向所述辅助场效应晶体管输出电信号；获取模块，用于通过第一源极测试端获取所述待测场效应晶体管的源极的第一电参数；通过第二源极测试端获取所述辅助场效应晶体管的源极的第二电参数；计算模块，用于根据所述预设电参数
、
所述第一电参数以及所述第二电参数，计算所述待测场效应晶体管的导通电阻
。
[0016]可选的，所述装置还包括：发送模块，用于通过所述第一栅极激励端向所述待测场效应晶体管的栅极的激励接线端发送第一电压信号，并通过所述第二栅极激励端向所述辅助场效应晶体管的栅极的激励接线端发送第二电压信号，以控制待测场效应晶体管的栅极和辅助场效应晶体管的栅极处于开启状态
。
[0017]可选的，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电阻测量系统，其特征在于，包括：待测场效应晶体管
、
辅助场效应晶体管以及测试设备；所述待测场效应晶体管的源极
、
栅极和漏极分别具有对应的激励接线端和测试接线端，所述辅助场效应晶体管的源极
、
栅极和漏极分别具有对应的激励接线端和测试接线端；所述待测场效应晶体管的漏极与所述辅助场效应晶体管的漏极连接，并固定在载片台上；其中，所述载片台上具有所述待测场效应晶体管的漏极的激励接线端以及测试接线端；所述测试设备的第一栅极激励端和第一栅极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的栅极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第一源极激励端和第一源极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的源极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第一漏极激励端和第一漏极测试端分别连接所述待测场效应晶体管的漏极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二栅极激励端和第二栅极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的栅极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二源极激励端和第二源极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的源极的激励接线端和测试接线端；所述测试设备的第二漏极激励端和第二漏极测试端分别连接所述辅助场效应晶体管的漏极的激励接线端和测试接线端
。2.
根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述待测场效应晶体管和所述辅助场效应晶体管均为同一型号的场效应晶体管
。3.
根据权利要求2所述的测量系统，其特征在于，所述待测场效应晶体管和所述辅助场效应晶体管均为同一型号的
N
型场效应晶体管，或者，均为同一型号的
P
型场效应晶体管
。4.
根据权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述测试设备包括测试盒以及测试机，所述测试盒上设置有：所述第一栅极激励端
、
所述第一栅极测试端
、
所述第一源极激励端
、
所述第一源极测试端
、
所述第一漏极激励端
、
所述第一漏极测试端
、
所述第二栅极激励端
、
所述第二栅极测试端
、
所述第二源极激励端
、
所述第二源极测试端
、
所述第二漏极激励端
、
所述第二漏极测试端；所述测试盒还和所述测试机通信连接
。5.
一种电阻测量方法，其特征在于，应用于权利要求1‑4任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡傲雪，蒋兴莉，黄庆波，封明辉，赵伟，
申请(专利权)人：成都高投芯未半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：