【技术实现步骤摘要】
本申请涉及熔断器，尤其涉及一种熔体及其制备方法、熔断器。
技术介绍
1、目前，在中低压电器中，熔断器在各电力设备中使用非常重要，熔断器可以在电力系统出现短路产生瞬间较大电流或电力系统过载超过一定时间后断开电路，以防止电力设备因为短路或过载的电力系统而导致的烧坏的问题,而熔断器内最关键的部分便是设置在熔管内的熔体，熔体具有一很重要的指标，便是分断能力，目前为满足一定分断能力需求，熔体通常采用银材料(银的熔点为：961.93摄氏度)，银材料本身优异的导电性、散热性、抗腐蚀性和熔点适用范围，使得目前很难有其他材料替代银作为熔体。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供一种能够取代银熔体的熔体。
2、本申请还提供一种熔体的制备方法以及一种包含所述熔体的熔断器。
3、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
4、第一方面，本申请提供一种熔体，包括：
5、一基体，包括第一金属、第二金属及石墨烯；所述第一金属的熔点低于金属银的熔点，所述第二金属的熔点高于金属银的熔点；所述基体为合金；
6、一银-石墨烯镀层，包覆在所述基体上。
7、在本申请一可选实施例中，所述基体的熔点低于所述银-石墨烯镀层的熔点。
8、在本申请一可选实施例中，所述第一金属为铝，所述第二金属为铜。
9、在本申请一可选实施例中，在所述基体中，按重量份计，所述第一金属的含量为44.5-48.6重量份，所述第二金属的含量为50-55重量份，
10、在本申请一可选实施例中，所述基体还包括铌，按重量份计，所述铌的含量为0.008-0.02重量份。
11、在本申请一可选实施例中，所述基体还包括钇，按重量份计，所述钇的含量为0.001-0.003重量份。
12、在本申请一可选实施例中，所述银-石墨烯镀层的厚度为1-10um。
13、第二方面，本申请还提供一种熔体的制备方法，包括：
14、制备第一混合物以及第二混合物，第一混合物包括第一金属和第一石墨烯，第二混合物包括第二金属和第二石墨烯；所述第一金属的熔点低于金属银的熔点，所述第二金属的熔点高于金属银的熔点；
15、混合所述第一混合物和所述第二混合物，得到包括所述第一金属、所述第二金属、第一石墨烯和第二石墨烯的第三混合物；
16、冷压所述第三混合物使之成型，并真空烧结成型后的第三混合物，得到烧结产物；
17、热压所述烧结产物，得到基体；以及
18、在所述基体上进行银-石墨烯电镀，得到熔体；所述熔体包括基体及包覆所述基体的银-石墨烯镀层。
19、在本申请一可选实施例中，在步骤“热压所述烧结产物”之后，还包括步骤：
20、真空电弧熔炼热压后的所述烧结产物，得到所述基体。
21、在本申请一可选实施例中，所述基体的熔点低于所述银-石墨烯镀层的熔点。
22、在本申请一可选实施例中，步骤“制备第一混合物”包括步骤：
23、提供一定量的第一石墨烯及一定量的第一金属，并将所述第一金属分成第一部分及第二部分；
24、使用第一部分第一金属在所述第一石墨烯的表层上形成第一金属镀层，以得到第三石墨烯，所述第三石墨烯包括第一石墨烯及包覆所述第一石墨烯的第一金属；及
25、将第二部分所述第一金属与所述第三石墨烯混合，以得到第一混合物；
26、其中，第二部分所述第一金属与所述第三石墨烯表层的第一金属镀层以金属键结合。
27、在本申请一可选实施例中，步骤“制备第二混合物”包括步骤：
28、提供一定量的第二金属，并将所述第二金属分成第一部分以及第二部分；
29、在第一部分第二金属的表面形成石墨烯层，以得到第三金属，所述第三金属包括第二金属及包覆所述第二金属的石墨烯层；以及
30、将第二部分第二金属与第三金属混合，以得到具有第二金属-石墨烯-第二金属结构的第二混合物。
31、在本申请一可选实施例中，采用化学气相沉积法在第一部分第二金属的表面形成所述石墨烯层。
32、在本申请一可选实施例中，所述第一金属为铝，所述第二金属为铜。
33、在本申请一可选实施例中，在所述基体中，按重量份计，所述第一金属的含量为44.5-48.6重量份，所述第二金属的含量为50-55重量份，所述石墨烯的含量为0.3-0.5重量份。
34、在本申请一可选实施例中，所述基体还包括铌，按重量份计，所述铌的含量为0.008-0.02重量份。
35、在本申请一可选实施例中，所述基体还包括钇，按重量份计，所述钇的含量为0.001-0.003重量份。
36、在本申请一可选实施例中，所述银-石墨烯镀层的厚度为1-10um。
37、在本申请一可选实施例中，所述第一金属为粉末状，粉末状的所述第一金属的粒径为20nm-70um。
38、在本申请一可选实施例中，所述第二金属为粉末状，粉末状的所述第二金属的粒径为20nm-100um；第一部分所述第二金属的粒径大于第二部分所述第二金属的粒径。
39、第三方面，本申请还提供一种熔断器，包括如上所述的熔体。
40、本申请提供的熔体及其制备方法、熔断器，采用熔点低于金属银的熔点的第一金属、熔点高于银的第二金属以及石墨烯构成的合金作为基体，并在基体表面电镀形成包覆基体的银-石墨烯镀层，通过调控基体中的第一金属、第二金属及石墨烯的配比以及银-石墨烯镀层中的银和石墨烯的配比，可以调控熔体的熔点、温升和电阻率，使之无限接近银的熔点、温升和电阻率，从而，在熔断器工作时，基体和银-石墨烯镀层的断开时间可以无限接近。相比于业界的银熔体来讲，本申请提供的熔体的性能接近银熔体的性能，从而本申请提供的熔体能够取代银熔体而不影响熔断器的熔断功能。
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1.一种熔体，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的熔体，其特征在于，所述基体的熔点低于所述银-石墨烯镀层的熔点所述银-石墨烯镀层。
3.如权利要求1所述的熔体，其特征在于，所述第一金属为铝，所述第二金属为铜。
4.如权利要求3所述的熔体，其特征在于，在所述基体中，按重量份计，所述第一金属的含量为44.5-48.6重量份，所述第二金属的含量为50-55重量份，所述石墨烯的含量为0.3-0.5重量份。
5.如权利要求1所述的熔体，其特征在于，所述基体还包括铌，按重量份计，所述铌的含量为0.008-0.02重量份。
6.如权利要求1-5任一项所述的熔体，其特征在于，所述基体还包括钇，按重量份计，所述钇的含量为0.001-0.003重量份。
7.如权利要求1所述的熔体，其特征在于，所述银-石墨烯镀层的厚度为1-10um。
8.一种熔体的制备方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的熔体的制备方法，其特征在于，所述基体的熔点低于所述银-石墨烯镀层的熔点所述银-石墨烯镀层。
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