【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、异质结太阳能电池由于其综合了单晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池的优势，具有制备工艺温度低、转换效率高、高温特性好等优点，其已成为业内的研究与图片重点。
2、但是，在通过镀膜工艺制备正面透明导电薄膜和背面透明导电薄膜过程中，由于异质结太阳能电池所选用的硅片基体比较薄及镀膜工艺精度限制，正面透明导电薄膜和背面透明导电薄膜会不可避免地延伸至硅基体侧面，使正面透明导电薄膜和背面透明导电薄膜接触导通，导致异质结太阳能电池出现边缘短路或漏电现象。
3、目前，解决异质结太阳能电池边缘短路或漏电的方式主要是，通过掩膜或者激光刻蚀方式将正面透明导电薄膜或者背面透明导电薄膜在主表面缩进(即正面透明导电薄膜或者背面透明导电薄膜的边缘与其所在的基体主表面的边缘之间具有一定间距)，也就是说，正面透明导电薄膜或者背面透明导电薄膜并不会完全覆盖其所在的硅基体的主表面，这样会直接影响异质结太阳能电池的有效面积，降低了异质结太阳能电池的光电转换效率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，该异质结太阳能电池能够提高异质结太阳能电池的有效面积，以有效地提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供以下技术方案：
3、第一方面，本专利技术提供一种异质结太阳能电池，包括：
4、硅基体；
5、基于所述硅基体第一主表面，顺
6、基于所述硅基体第二主表面，顺序叠层设置的第二本征硅薄膜、第二掺杂硅层、第二导电膜层；
7、设置于所述硅基体侧面的层叠结构，其中，所述层叠结构包括：基于所述第一导电膜层延伸形成的第三导电膜层、基于所述第二导电膜层延伸形成的第四导电膜层以及基于所述绝缘减反射层延伸形成的绝缘层，其中，所述绝缘层位于所述第三导电膜层和所述第四导电膜层之间；
8、与所述第一导电膜层电连接的第一金属电极；
9、以及，第二导电膜层电连接的第二金属电极。
10、第二方面，本专利技术实施例提供一种针对第一方面实施例提供的异质结太阳能电池的制备方法，包括：
11、步骤a、在硅基体的第一主表面顺序层叠制备第一本征硅薄膜和第一掺杂硅层，并在所述硅基体的第二主表面顺序层叠制备第二本征硅薄膜和第二掺杂硅层；
12、步骤b、在所述第一掺杂硅层上顺序层叠制备第一导电膜层及绝缘减反射层，其中，所述第一导电膜层延伸至所述硅基体侧面形成的第三导电膜层及所述绝缘减反射层延伸至所述硅基体侧面形成层叠于所述第三导电膜层上的绝缘层；
13、步骤c、在所述第二掺杂硅层上制备第二导电膜层，其中，所述第二导电膜层延伸至所述硅基体的侧面形成层叠于所述绝缘层上的第四导电膜层；
14、步骤d、分别设置与所述第一导电膜层电连接的第一金属电极，以及，与所述第二导电膜层电连接的第二金属电极。
15、上述专利技术的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：
16、本专利技术实施例提供的异质结太阳能电池，通过在硅基体侧面设置的层叠结构，由于该层叠结构包括基于第一导电膜层延伸形成的第三导电膜层、基于第二导电膜层延伸形成的第四导电膜层以及基于绝缘减反射层延伸形成的绝缘层，其中，绝缘层位于第三导电膜层和第四导电膜层之间，通过绝缘层隔离第三导电膜层和第四导电膜层，实现在异质结太阳能电池侧面设置异质结太阳能电池正面与异质结太阳能电池背面之间电隔离，使第一导电膜层和第二导电膜层均可铺设在整个异质结太阳能电池主表面，有效地提高了异质结太阳能电池的有效面积，以有效地提升异质结太阳能电池的光电转换效率。
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1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述层叠结构还包括：
5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
6.根据权利要求1至5任一所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
7.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
9.权利要求1至8任一所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤A包括：
【技术特征摘要】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述层叠结构还包括：
5.根据权利要求4所述的异质结太阳能电池，其特征在于，
6.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：张俊兵，陈斌，张泽宁，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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