一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体材料加工制备技术领域，具体涉及一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法，包括如下步骤：S1、在p型碲镉汞基底上生长保护层，并在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；S2、通过离子注入窗口进行离子注入形成N型区域；S3、去除光刻胶和保护层；S4、在碲镉汞基底上生长钝化层；S5、进行退火热处理，得到碲镉汞pn结阵列。本发明专利技术中的钝化层是在离子注入之后生长的，避免了钝化层经历离子注入过程造成钝化层晶格损伤和钝化层被掺杂的情况，钝化层的绝缘性更优；同时将碲化镉钝化后的退火工序和离子注入后消除注入损伤的工序合并，减少了退火热处理工艺的次数，节约了能源，缩短了生产周期，有利于进行产业化批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料加工制备，具体涉及一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法。

技术介绍

1、当前，碲镉汞红外探测器仍然是性能最优异的红外探测器之一。碲镉汞pn结阵列制备技术是碲镉汞红外探测器核心技术之一。平面结是碲镉汞pn结的主流技术，主要通过对碲镉汞材料进行离子注入的方式形成pn结。通过这种pn结成结工艺完成了碲镉汞第二代、第三代碲镉汞红外探测器的制备，仍然是当今碲镉汞pn结制备的主流技术之一。碲镉汞材料离子注入形成pn结的原理是将硼离子注入到碲镉汞材料中，通过硼离子取代碲镉汞中正常金属格点位置的原子(镉原子或汞原子)而产生一个自由电子，以及离子注入过程对碲镉汞晶格造成损伤引起碲镉汞材料晶格畸变的方法，使得被硼离子注入的区域形成n型导电区，与p型碲镉汞基底一起形成pn结。离子注入后一般会通过对碲镉汞样品进行快速退火以消除离子注入过程对碲镉汞材料造成的损伤，之后再进行后续的芯片制程工艺，得到碲镉汞pn结阵列芯片。

2、碲镉汞pn结阵列的制备方法是在p型碲镉汞基底上生长一层阻挡层(zns阻挡层或cdte/zns复合阻挡层等)后，通过光刻工艺形成离本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于，步骤S3和步骤S4之间还包括如下步骤：对碲镉汞基底表面进行腐蚀处理。

3.如权利要求2所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：腐蚀处理采用溴甲醇溶液或溴乙醇溶液，腐蚀深度为100-400纳米。

4.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：步骤S5中，退火热处理的处理温度为200摄氏度～350摄氏度，处理时间为20～30小时。

5.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：退火热...

【技术特征摘要】

1.一种碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于，步骤s3和步骤s4之间还包括如下步骤：对碲镉汞基底表面进行腐蚀处理。

3.如权利要求2所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：腐蚀处理采用溴甲醇溶液或溴乙醇溶液，腐蚀深度为100-400纳米。

4.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：步骤s5中，退火热处理的处理温度为200摄氏度～350摄氏度，处理时间为20～30小时。

5.如权利要求1所述的碲镉汞pn结阵列的制备方法，其特征在于：退火热处理过程中充入氢气作为保...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，杨朝臣，张冰洁，刘永锋，王星辰，刘琦，崔钦音，汪鑫，李威平，谢治阳，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：