一种杜瓦冷指支撑结构及红外探测器制造技术

本发明专利技术公开了一种杜瓦冷指支撑结构及红外探测器，该杜瓦冷指支撑结构包括内磁环和外磁环，内磁环固定安装在冷指气缸的外侧壁上，外磁环固定安装在杜瓦外壳的内侧壁上，内磁环位于外磁环内，内磁环与外磁环之间保持一定的间隙，且内磁环与外磁环间存在径向斥力，当探测器正常工作时，冷量不会通过支撑结构进行热交换，因此不会增加杜瓦的冷损，不会增加制冷机的负担，当探测器组件受到较大量级的冲击振动影响时，冷指的悬臂梁结构会发生摆动，但这种摆动会受到内磁环与外磁环的阻挡，大幅度减小冷头的摆动。因此，冷头上的冷屏、滤光片、芯片、陶瓷基板等的受力大幅度减小，碎裂、脱落的风险降低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制冷型红外探测器领域，尤其涉及一种杜瓦冷指支撑结构及红外探测器。

技术介绍

1、红外探测器是红外技术的核心部件，也是红外技术发展的先导。制冷型红外探测器-杜瓦中，冷指气缸是一种悬臂梁结构，同时，由于红外探测器的基板和冷屏等均组装在冷指气缸的顶端,导致冷指气缸成为整个红外探测器组件中的力学最薄弱环节。

2、目前，现有技术中大都采用直接接触式支撑环(如公开号为cn103344342a的专利)对冷指顶部悬臂梁结构进行加固。但是由于直接接触，大幅增加了热传导漏热，导致直接接触式支撑环对于杜瓦的冷损牺牲较大，增加了制冷机的负担，且冷头处的冷屏、滤光片、芯片、陶瓷基板等受冲击时的受力并没有明显减小，碎裂、脱落的风险还是很大。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种非接触式抗大量级冲击振动的杜瓦冷指支撑结构及红外探测器。

2、本专利技术的技术方案是这样实现的：一种杜瓦冷指支撑结构，包括内磁环和外磁环，所述内磁环固定安装在冷指气缸的外侧壁上，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：包括内磁环和外磁环，所述内磁环固定安装在冷指气缸的外侧壁上，所述外磁环固定安装在杜瓦外壳的内侧壁上，所述内磁环位于外磁环内，内磁环与外磁环之间设有间隙，且内磁环与外磁环间存在径向斥力。

2.如权利要求1所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：所述内磁环、外磁环均为径向充磁的环状永磁体，内磁环和外磁环的充磁方向相反。

3.如权利要求1或2所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：内磁环的圆心与外磁环的圆心为同一圆心，当无径向冲击时，内磁环沿圆周方向的各个位置处受到外磁环大小相等且均向圆心的斥力。

4.如权利要求1或2所述的杜瓦...

【技术特征摘要】

1.一种杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：包括内磁环和外磁环，所述内磁环固定安装在冷指气缸的外侧壁上，所述外磁环固定安装在杜瓦外壳的内侧壁上，所述内磁环位于外磁环内，内磁环与外磁环之间设有间隙，且内磁环与外磁环间存在径向斥力。

2.如权利要求1所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：所述内磁环、外磁环均为径向充磁的环状永磁体，内磁环和外磁环的充磁方向相反。

3.如权利要求1或2所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：内磁环的圆心与外磁环的圆心为同一圆心，当无径向冲击时，内磁环沿圆周方向的各个位置处受到外磁环大小相等且均向圆心的斥力。

4.如权利要求1或2所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：所述内磁环的内侧面与冷指气缸的外侧壁固定连接。

5.如权利要求1或2所述的杜瓦冷指支撑结构，其特征在于：所述外磁环的外侧面与杜瓦外壳的内侧壁固定连接，或所述外磁环通过固定架固定在杜瓦外壳的内侧壁上。

6.如权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晟，黄立，张杨文，沈星，洪晓麦，程海玲，曾卓，李明畅，黄昊，
申请(专利权)人：武汉高芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：