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本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体涉及一种碲镉汞pn结阵列及其制备方法，包括如下步骤：S1、在p型碲镉汞基底上生长保护层，并在保护层上采用光刻工艺形成离子注入窗口；S2、通过离子注入窗口进行离子注入形成N型区域；S3、去除光刻胶和保...
该专利属于武汉高芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉高芯科技有限公司授权不得商用。

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