一种基片台调整装置制造方法及图纸

本技术涉及金刚石生产领域，尤其涉及一种基片台调整装置。基片台调整装置包括基座，基座的座体上设置有定位结构和安装结构，基座还包括用于避让MPCVD设备的基片台的避让结构，安装结构设置有至少三个，多个安装结构用于围绕所述基片台间隔布置。通过设置基座便于作为接下来安装其他部件的安装基础；通过设置安装结构便于对顶推控距装置进行安装，便于精准的控制基片台的位置；当安装结构安装好顶推控距装置之后，会从不同的角度对基片台进行顶推，便于进行基片台的位置精确调整，进而解决了现有技术中由人工进行基片台和冷却台之间的位置调整导致的基片台与冷却台的相对位置不易保证的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及金刚石生产领域，尤其涉及一种基片台调整装置。

技术介绍

1、微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition，简称mpcvd)法是制备高品质单晶金刚石的首选方法，金刚石在mpcvd设备的腔体中进行反应生长。

2、mpcvd设备的腔体内设置有水冷铜台(即冷却台)和放置在水冷铜台上的钼沉积台(即基片台)，金刚石在基片台上进行反应生长。在进行金刚石生长的过程中，会在腔体内生成高能的等离子球体，等离子球体与基片台的位置需要进行对应，因此对基片台的放置位置具有较高要求，现有技术中，基片台的放置由人工进行手动放置，依据工人的经验将基片台放置在冷却台上。

3、在放置过程中冷却台上没有相应的标识，无法确认放置的位置，然而，手动调整的精确度不易把控，而冷却台和基片台的本身尺寸较小，其误差范围不易把控。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种基片台调整装置，用于解决现有技术中由人工进行基片台和冷却台之间的位置调整导致的基片台与冷却本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基片台调整装置，其特征在于：包括基座，基座的座体上设置有用于定位安装在MPCVD设备的冷却台上的定位结构和用于安装顶推控距装置的安装结构，基座还包括用于避让MPCVD设备的基片台（12）的避让结构，安装结构设置有至少三个，多个安装结构用于围绕所述基片台（12）间隔布置，安装结构上安装固定有顶推控距装置，顶推控距装置具有顶推端，顶推端用于顶推基片台的外周面。

2.根据权利要求1所述的基片台调整装置，其特征在于：座体为环形座体（21），环形座体（21）的内孔构成避让结构，所述环形座体（21）具有用于支撑在冷却台上表面上的支撑端面，所述环形座体（21）上还设置有用于与冷却台...

【技术特征摘要】

1.一种基片台调整装置，其特征在于：包括基座，基座的座体上设置有用于定位安装在mpcvd设备的冷却台上的定位结构和用于安装顶推控距装置的安装结构，基座还包括用于避让mpcvd设备的基片台（12）的避让结构，安装结构设置有至少三个，多个安装结构用于围绕所述基片台（12）间隔布置，安装结构上安装固定有顶推控距装置，顶推控距装置具有顶推端，顶推端用于顶推基片台的外周面。

2.根据权利要求1所述的基片台调整装置，其特征在于：座体为环形座体（21），环形座体（21）的内孔构成避让结构，所述环形座体（21）具有用于支撑在冷却台上表面上的支撑端面，所述环形座体（21）上还设置有用于与冷却台的外周面止挡配合的挡沿。

3.根据权利要求1或2所述的基片台调整装置，其特征在于：所述安装结构为固定设置在座体上的安装板（23），所述安装板（23）上设置有供顶推控距装置安装的安装孔。

4.根据权利要求3所述的基片台调整装置，其特征在于：所述安装孔为光孔，所述安装板上螺纹连接有用于顶紧顶推控距装置的顶紧螺钉。

5.根据权利要求3所述的基片台调...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔名扬，任丽，李宏利，方海江，
申请(专利权)人：河南天璇半导体科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：