【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及c-芳基糖苷衍生物的制造方法。
技术介绍
1、sglt2抑制剂作为抗糖尿病药是有用的。需要说明的是，“sg lt2”是指钠-葡萄糖共转运载体-2。作为sglt2抑制剂，例如已知有卡格列净(1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯)、恩格列净((1s)-1,5-脱水-1-c-{4-氯-3-[(4-{[(3s)-氧杂环戊烷-3-基]氧基}苯基)甲基]苯基}-d-葡萄糖醇)、依格列净((1s)-1,5-脱水-1-c-{3-[(1-苯并噻吩-2-基)甲基]-4-氟苯基}-d-葡萄糖醇-(2s)-吡咯烷-2-甲酸)、达格列净((2s,3r,4r,5s,6r)-2-[4-氯-3-(4-乙基氧基苄基)苯基]-6-(羟基甲基)四氢-2h-吡喃-3,4,5-三醇)等。
2、作为sglt2抑制剂的制造方法，提出了将1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯前体的保护基脱保护而合成卡格列净的方案(参见专利文献1)。1-(β-d-吡喃葡萄糖基)-4-甲基-3-[5-(4-氟苯基)-2-噻吩基甲基]苯前体也被称为c-芳基羟基糖苷衍生物，作为用于制造sglt-2抑制药的中间体而受到关注(专利文献1～2及非专利文献1～3)。
3、作为c-芳基羟基糖苷衍生物的制造方法，进行了各种提案，例如已知有下述方法：在-78℃的超低温下，使芳基锂作用于d-葡糖酸内酯衍生物从而使芳基进行加成反应的方法(非专利文献1及3)；在-20～-10℃的低温下，使
4、另外，下述式(x)所示的瑞德西韦(remdesivir)是可用作抗病毒药的化合物。瑞德西韦对于例如rs病毒、冠状病毒等单链rn a病毒显示出抗病毒活性。
5、[化学式1]
6、
7、在专利文献3中，公开了瑞德西韦及其中间体的制造方法。在专利文献3中，记载了通过在氯三甲基硅烷(tmscl)及正丁基锂的存在下，于-78℃使下述式(xi)所示的内酯、与下述式(ar”)所示的溴吡唑反应，可得到下述式(xii)所示的羟基核苷。该羟基核苷可以作为用于合成瑞德西韦的中间体来使用。需要说明的是，“bn”表示苄基。
8、[化学式2]
9、
10、现有技术文献
11、专利文献
12、专利文献1：wo2010/043682号公报
13、专利文献2：wo2015/012110号公报
14、专利文献3：wo2012/012776号公报
15、非专利文献
16、非专利文献1：j.med.chem.2008,51,1145-1149
17、非专利文献2：org.lett.2014,16,4090-4093
18、非专利文献3：j.org.chem.1989,54,610-612
19、非专利文献4：tetrahedron letters 2002,43,1039-1042
20、非专利文献5：chem.eur.j.2018,24,8774-8778
技术实现思路
1、专利技术所要解决的课题
2、本专利技术的目的是提供c-芳基糖苷衍生物的制造方法。
3、用于解决课题的手段
4、本专利申请人针对c-芳基-羟基糖苷衍生物的制造方法及c-芳基糖苷衍生物的制造方法进行了专利申请(日本特愿2022-081925)。
5、上述专利申请涉及的c-芳基-羟基糖苷衍生物的制造方法(以下称为“第1方法”。)如下所述：
6、制造下述式(v)所示的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)的方法，所述方法包括下述工序：
7、使下述式(ii)所示的酮衍生物(ii)与碱接触，使式：-co-r所示的羟基保护基从酮衍生物(ii)脱离后，进一步使酸接触，从而制造c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)。
8、[化学式3]
9、
10、[式中，
11、w2表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环烷基、可具有取代基的芳基、可具有取代基的杂芳基、可具有取代基的芳基烷基、或可具有取代基的芳基烯基，
12、r100表示氢原子、可具有取代基的烷基、或可具有取代基的芳基，n表示1或2。]
13、[化学式4]
14、
15、[式中，
16、w2的含义与上文相同，
17、r各自独立地表示可具有取代基的烷基，
18、n表示1或2。]
19、上述专利申请涉及的c-芳基糖苷衍生物的制造方法(以下称为“第2方法”。)如下所述：
20、制造下述式(vii)所示的c-芳基糖苷衍生物(vii)的方法，所述方法包括下述工序：
21、利用上述第1方法制造c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)后，使所得到的c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)与硅烷化合物接触，从而制造c-芳基糖苷衍生物(vii)。
22、[化学式5]
23、
24、[式中，w2及n的含义与上文相同。]
25、根据上述第1及第2方法，由酮衍生物(ii)制造c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)后，由c-芳基-羟基糖苷衍生物(v)制造c-芳基糖苷衍生物(vii)。
26、本申请的专利技术人为了改良上述第1及第2方法而进行了深入研究，结果发现，通过在还原剂的存在下使酮衍生物(ii)(对应于本专利技术中的羟基酮体(ii))与酸接触，能一举进行环化及还原而经由1个工序得到c-芳基糖苷衍生物(vii)(对应于本专利技术中的c-芳基糖苷衍生物(i))，从而完成了本专利技术。需要说明的是，即使在不存在还原剂的条件下使酮衍生物(ii)与酸接触，也得不到c-芳基糖苷衍生物(vii)。
27、即，本专利技术提供以下的专利技术。
28、[1]制造下述式(i)所示的c-芳基糖苷衍生物(i)的方法，所述方法包括下述工序：
29、在还原剂的存在下，使下述式(ii)所示的羟基酮体(ii)与酸接触，形成前述c-芳基糖苷衍生物(i)。
30、[化学式6]
31、
32、[式中，
33、r各自独立地表示羟基保护基，
34、ar表示可具有取代基的烷基、可具有取代基的烯基、可具有取代基的环烷基、可具有取代基的杂环本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.制造下述式(I)所示的C-芳基糖苷衍生物(I)的方法，所述方法包括下述工序：
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述酸选自三氟化硼乙醚络合物、四氯化钛、三氯化铁、三氟乙酸、甲磺酸及三氟甲磺酸。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，相对于所述羟基酮体(II)1摩尔而言，所述酸的使用量为0.001摩尔以上5摩尔以下。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述还原剂为硅烷化合物。
5.如权利要求4所述的方法，其中，所述硅烷化合物选自三乙基硅烷、三异丙基硅烷及三苯基硅烷。
6.如权利要求1、4或5所述的方法，其中，相对于所述羟基酮体(II)1摩尔而言，所述还原剂的使用量为1摩尔以上10摩尔以下。
7.如权利要求1、2、4或5所述的方法，其中，在所述工序中，在所述还原剂的存在下，于-110℃以上60℃以下的温度使所述羟基酮体(II)与所述酸接触。
【技术特征摘要】
1.制造下述式(i)所示的c-芳基糖苷衍生物(i)的方法，所述方法包括下述工序：
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述酸选自三氟化硼乙醚络合物、四氯化钛、三氯化铁、三氟乙酸、甲磺酸及三氟甲磺酸。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中，相对于所述羟基酮体(ii)1摩尔而言，所述酸的使用量为0.001摩尔以上5摩尔以下。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述还原剂为硅烷化合...
【专利技术属性】
技术研发人员：关雅彦，真岛和志，S·K·穆拉尼，S·R·塔普基尔，M·R·纳迪维迪，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：
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