高频用高介电常数陶瓷制造技术

本发明专利技术的高频用高介电常数陶瓷，它的成分及其摩尔百分比含量为：Ｌａ２Ｏ３或Ｎｄ２Ｏ３或Ｓｍ２Ｏ３：５０．０～６６．６７，ＳｒＯ或ＣａＯ：０．０～１６．６７，ＮｉＯ：３３．３３。该高介电常数陶瓷在３～１００ＭＨｚ的频率下其介电常数达到５０，０００以上，介电损耗在０．１以下。利用本发明专利技术提供的高频用高介电常数陶瓷，可使电容器和存储器等元器件适合更高频率应用，同时由于其极高的介电常数，这也有利于这些元器件的集成化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子工业领域中的高频电容器和存储器等元器件用的高介电常数陶瓷材料。
技术介绍
近年来，随着集成电路的集成度不断提高，对材料的介电性能也要求越来越 高，同时其应用频率也越来越高，这对电容器和存储器等元器件用的高频用高介电常数 材料的需求日益增长。但是目前已开发的此类材料较少，还难以满足实际应用需求。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种使用频率在3 100MHz，介电常数在50,000以上，介 电损耗在O.l以下的高介电常数陶瓷。 本专利技术的高频用高介电常数陶瓷，它的成分及其摩尔百分比含量为La203或Nd203或Sm203 50.0 66.67 SrO或CaO 0.0 16.67 NiO 33.33。 优选成分及其摩尔百分比含量为 Sm203 50.00 ; SrO 16.67 ;NiO 33.33。 专利技术的高频用高介电常数陶瓷可按如下实例所述的方法制备而成。首先，将纯度为99X以上的La203或Nd203或Sm203、 SrC03或CaC03及NiO按一定的比例用湿式球磨法混合24小时，熔剂为蒸馏水，烘干后在温度为1150 120(TC，气氛为空气的条件下预烧3小时得到所需的陶瓷粉末。随后在预烧粉末中添加5 15%的聚乙烯醇溶液作为粘结剂造粒后，通过单轴压力成形在30MPa下制备出直径为12mm、厚度为1 2mm的陶瓷坯体，先在60(TC温度下排出粘结剂，最后在温度为1350 145(TC，气氛为空气的条件下烧结得到所需的高频用高介电常数陶瓷。 专利技术的高频用高介电常数材料的介电常数在50,000以上，损耗在0.1以下，使用频率在3 100MHz。利用本专利技术提供的高频用高介电常数陶瓷，可使电容器和存储器等元器件适合更高频的应用，同时由于其极高的介电常数，这也有利于这些元器件的集成化。具体实施例方式表1给出了构成本专利技术的各成分含量的几个具体实例及其介电性能。性能测试是用射频阻抗分析仪来得到的。 表l<table>table see original document page 4</column></row><table>本文档来自技高网...

【技术保护点】
高频用高介电常数陶瓷，其特征在于它的成分及其摩尔百分比含量为：　　　　Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｎｄ↓［２］Ｏ↓［３］或Ｓｍ↓［２］Ｏ↓［３］　　５０．０～６６．６７　　　　ＳｒＯ或ＣａＯ　　０．０～１６．６７　　　　ＮｉＯ　　３３．３３。

【技术特征摘要】
高频用高介电常数陶瓷，其特征在于它的成分及其摩尔百分比含量为La2O3或Nd2O3或Sm2O350.0～66.67SrO或CaO 0.0～16.67NiO33...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘小强，陈湘明，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[]