一种高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜及其制备方法，x=0.04～0.12，该薄膜为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，均匀性好，空间点群为R-3m(160)，在1kHz频率下，其介电常数为199.3～299.0。制备方法：按摩尔比为(1.05-x):1:x将硝酸铋、硝酸铁和硝酸钬溶于乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，得前驱液；在基片上旋涂前驱液，匀胶后烘烤得干膜，再退火，得Bi1-xHoxFeO3薄膜，重复旋涂前驱液、烘烤、退火至达到所需的薄膜厚度，得高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜。本发明专利技术设备要求简单，掺杂量易控，能够大幅度提高BiFeO3薄膜的介电性能。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：谈国强，耶维，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：
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