【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光谱仪校正方法，尤其是背照式CCD阵列光谱仪标准具效应 (Etaloning effect)的校正方法。
技术介绍
光谱仪是一种用于检测电磁谱中特定区域的光特性的仪器。它将收集的光进行光 谱色散，最后将光信号重构为一系列的单色影像，从而对其进行检测。通过光谱仪对光信息 获取、然后进行分析，可以得到和物质组成相关的信息。这种技术被广泛的应用于工业领 域。 光谱仪通常有色散型和傅立叶变换型两大类。采用光栅进行色散的原理使得色散 型光谱仪获取数据的时间远小于FT-Raman。目前色散型光谱仪一般采用CCD阵列作为检测 器。色散型CCD阵列光谱仪根据入射光进入CCD检测器方向的不同，可分为前照式CCD阵 列光谱仪和背照式CCD阵列光谱仪。前照式CCD阵列光谱仪在感光时，入射光从MOS结构 的正面进入，即由带有复杂的电极结构的Si02层射入，其厚度一般在600微米左右，光通过 时损失较大。背照式CCD阵列光谱仪与此相反，光子由MOS结构的背面Si层射入。由于器 件的背面没有复杂的电极结构，通常只有10 20微米厚度，故能获得较高的量子效率，提 高了 CCD器...
【技术保护点】
背照式ＣＣＤ阵列光谱仪标准具效应的校正方法，包括如下步骤： １）用钨卤光源或荧光物质测取光谱仪标准具效应光谱Ａ； ２）用最小二乘法对光谱仪标准具效应特征光谱Ａ进行多项式拟合，得到光谱仪标准具效应光谱基线Ｂ； ３）根据步骤１）得到的光谱仪标准具效应光谱和步骤２）中的光谱基线，按式（１）计算光谱仪标准具效应特征曲线Ｔ； Ｔ＝（Ａ－Ｂ）／Ｂ －－－－－－－－－（１） ４）测量待测物质光谱Ｓ； ５）根据待测物质光谱Ｓ和标准具效应特征曲线Ｔ计算补偿光谱曲线Ｐ； 设：Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐｉ分别为Ｓ、Ｔ、Ｐ在第ｉ个像素点的值，根据算式Ｃｉ＝Ｓｉ＊Ｔｉ...
【技术特征摘要】
背照式CCD阵列光谱仪标准具效应的校正方法，包括如下步骤1)用钨卤光源或荧光物质测取光谱仪标准具效应光谱A；2)用最小二乘法对光谱仪标准具效应特征光谱A进行多项式拟合，得到光谱仪标准具效应光谱基线B；3)根据步骤1)得到的光谱仪标准具效应光谱和步骤2)中的光谱基线，按式(1)计算光谱仪标准具效应特征曲线T；T＝(A-B)/B---------(1)4)测量待测物质光谱S；5)...
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