一种MOSFET器件制造技术

本技术提供一种MOSFET器件，包括MOSFET本体，所述MOSFET本体顶部连接卡接块，所述MOSFET本体两侧开有锁定孔，所述卡接块两两之间可以相互卡接，所述锁定孔可拆卸连接伸缩保护盒，目前无法对批量的MOSFET器件引脚进行保护，并且每个MOSFET器件都需要插接密封罩导致其结构较为复杂的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及mosfet器件，具体涉及一种mosfet器件。

技术介绍

1、mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。mosfet最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。功率mosfet在上世纪80年代开始兴起，在如今已成为半导体领域最基础的器件之一，无论是在里，还是板级电路应用上，无疑成为了重要的主角器件，尤其在大功率半导体领域，各种结构的 mos 管更是发挥着不可替代的作用。

2、目前的大功率mosfet器件，引脚一般采用金属材质制成，在mosfet器件创世纪放置在潮湿环境或者复杂环境的时候，其引脚容易被磕破或者被液体腐蚀，导致其寿命下降或者无法使用。

3、例如专利号为cn202221909877.9的一种沟槽型大功率mosfet器件，公开了一种沟槽型大功率mosfet器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩的内侧固定有密封板，所述密封板的两侧均固定有弹片，所述器件主体的两侧均固定有限位块，所述弹片与限位块活动连接；本技术具备可以对器件的引脚进行密封保护，并且在运行时可以提高器件散热速度和均匀性的优点，解决了现有的mosfet器件在长时间存放时引脚容易受到外界液体的腐蚀，造成引脚损毁从而无法使用的问题。

4、专利技术人在具体的实施例操作过程中，发现了以下缺陷：

<p>5、以上述专利为代表的现有技术，可以通过在每个mosfet器件底部设置限位块并与密封罩可拆卸连接，达到保护mosfet器件引脚的作用，但是这种方式无法对批量的mosfet器件引脚进行保护，并且，每个mosfet器件都需要插接密封罩导致其结构较为复杂。

6、需要说明的是，上述内容属于专利技术人的技术认知范畴，由于本领域的
技术实现思路
浩如烟海、过于庞杂，因此本申请的上述内容并不必然构成现有技术。

技术实现思路

1、1.技术要解决的技术问题：

2、本技术的提供了一种mosfet器件，用以解决上述
技术介绍
中存在的技术问题。

3、2.技术方案：

4、为达到上述目的，本技术提供的技术方案为：一种mosfet器件，包括mosfet本体，所述mosfet本体顶部连接卡接块，所述mosfet本体两侧开有锁定孔，所述卡接块两两之间可以相互卡接，所述锁定孔可拆卸连接伸缩保护盒；

5、本装置可以对批量的mosfet本体引脚进行保护作业，mosfet本体通过顶部的卡接块结合在一起，成为一个方形整体，在将伸缩保护盒拉开，将卡接后的方形整体放入其内，缩小伸缩保护盒使其与mosfet本体上的锁定孔可拆卸连接，即可对多个mosfet本体进行引脚保护。

6、进一步的，所述卡接块底部设有不干胶，通过所述不干胶连接所述mosfet本体。

7、进一步的，所述卡接块一端开有卡接槽，所述卡接槽内部设有解锁件，所述卡接块另一端开有凸形滑槽，所述凸形滑槽匹配连接锁定块，所述锁定块插接所述卡接槽。

8、进一步的，所述卡接槽两侧开有升降槽，所述升降槽内滑动连接所述解锁件，所述解锁件包括凹形滑块，所述凹形滑块底部内侧设有挤压突起，所述凹形滑块底面中部连接弹簧。

9、进一步的，所述锁定块包括滑动凸形块，所述滑动凸形块侧面对称设有锁定柱，所述锁定柱外端设有卡接突起，所述滑动凸形块滑动连接所述凸形滑槽。

10、进一步的，所述伸缩保护盒包括相互滑动连接的保护盒体，所述保护盒体对称内部设有限位突起，所述限位突起与所述锁定孔可拆卸连接。

11、3.有益效果：

12、采用本技术提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：

13、本技术设计合理，可以利用底部的伸缩保护盒对连接完成的mosfet本体进行批量保护，并且顶部的卡接块可以将多个mosfet本体进行可拆卸连接，便于多个mosfet本体的保存，且再使用时可以根据需要的数量来进行快速拆卸，具有较好的收纳使用性能。

14、需要说明的是，本技术未介绍的结构由于不涉及本技术的设计要点及改进方向，均与现有技术相同或者可采用现有技术加以实现在此不做赘述。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET器件，其特征在于：包括MOSFET本体（1），所述MOSFET本体（1）顶部连接卡接块（2），所述MOSFET本体（1）两侧开有锁定孔（3），所述卡接块（2）两两之间可以相互卡接，所述锁定孔（3）可拆卸连接伸缩保护盒（4）。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述卡接块（2）底部设有不干胶，通过所述不干胶连接所述MOSFET本体（1）。

3.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述卡接块（2）一端开有卡接槽（21），所述卡接槽（21）内部设有解锁件（22），所述卡接块（2）另一端开有凸形滑槽（23），所述凸形滑槽（23）匹配连接锁定块（24），所述锁定块（24）插接所述卡接槽（21）。

4.根据权利要求3所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述卡接槽（21）两侧开有升降槽（211），所述升降槽（211）内滑动连接所述解锁件（22），所述解锁件（22）包括凹形滑块（212），所述凹形滑块（212）底部内侧设有挤压突起（213），所述凹形滑块（212）底面中部连接弹簧（214）。p>

5.根据权利要求3所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述锁定块（24）包括滑动凸形块（241），所述滑动凸形块（241）侧面对称设有锁定柱（242），所述锁定柱（242）外端设有卡接突起（243），所述滑动凸形块（241）滑动连接所述凸形滑槽（23）。

6.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述伸缩保护盒（4）包括相互滑动连接的保护盒体（41），所述保护盒体（41）对称内部设有限位突起（42），所述限位突起（42）与所述锁定孔（3）可拆卸连接。

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【技术特征摘要】

1.一种mosfet器件，其特征在于：包括mosfet本体（1），所述mosfet本体（1）顶部连接卡接块（2），所述mosfet本体（1）两侧开有锁定孔（3），所述卡接块（2）两两之间可以相互卡接，所述锁定孔（3）可拆卸连接伸缩保护盒（4）。

2.根据权利要求1所述的一种mosfet器件，其特征在于：所述卡接块（2）底部设有不干胶，通过所述不干胶连接所述mosfet本体（1）。

3.根据权利要求1所述的一种mosfet器件，其特征在于：所述卡接块（2）一端开有卡接槽（21），所述卡接槽（21）内部设有解锁件（22），所述卡接块（2）另一端开有凸形滑槽（23），所述凸形滑槽（23）匹配连接锁定块（24），所述锁定块（24）插接所述卡接槽（21）。

4.根据权利要求3所述的一种mosfet器件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兵兵，张世隆，汪学丽，
申请(专利权)人：上海东沅集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：