一种MOSFET器件制造技术

本技术提供一种MOSFET器件，包括MOSFET本体，所述MOSFET本体顶部连接卡接块，所述MOSFET本体两侧开有锁定孔，所述卡接块两两之间可以相互卡接，所述锁定孔可拆卸连接伸缩保护盒，目前无法对批量的MOSFET器件引脚进行保护，并且每个MOSFET器件都需要插接密封罩导致其结构较为复杂的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术主要涉及mosfet器件，具体涉及一种mosfet器件。

技术介绍

1、mosfet金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。mosfet最早出现在大概上世纪60年代，首先出现在模拟电路的应用。功率mosfet在上世纪80年代开始兴起，在如今已成为半导体领域最基础的器件之一，无论是在里，还是板级电路应用上，无疑成为了重要的主角器件，尤其在大功率半导体领域，各种结构的 mos 管更是发挥着不可替代的作用。

2、目前的大功率mosfet器件，引脚一般采用金属材质制成，在mosfet器件创世纪放置在潮湿环境或者复杂环境的时候，其引脚容易被磕破或者被液体腐蚀，导致其寿命下降或者无法使用。

3、例如专利号为cn202221909877.9的一种沟槽型大功率mosfet器件，公开了一种沟槽型大功率mosfet器件，包括器件主体和均热板，所述器件主体的一侧固定有若干引脚，所述引脚的数量为三个，所述器件主体的另一侧固定有金属板，所述金属板的内部开设有通孔，所述金属板的前后两侧均开设有凹槽，所述引脚的表面活动连接有密封罩，所述密封罩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MOSFET器件，其特征在于：包括MOSFET本体（1），所述MOSFET本体（1）顶部连接卡接块（2），所述MOSFET本体（1）两侧开有锁定孔（3），所述卡接块（2）两两之间可以相互卡接，所述锁定孔（3）可拆卸连接伸缩保护盒（4）。

2.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述卡接块（2）底部设有不干胶，通过所述不干胶连接所述MOSFET本体（1）。

3.根据权利要求1所述的一种MOSFET器件，其特征在于：所述卡接块（2）一端开有卡接槽（21），所述卡接槽（21）内部设有解锁件（22），所述卡接块（2）另一端开有凸形滑槽（23），所...

【技术特征摘要】

1.一种mosfet器件，其特征在于：包括mosfet本体（1），所述mosfet本体（1）顶部连接卡接块（2），所述mosfet本体（1）两侧开有锁定孔（3），所述卡接块（2）两两之间可以相互卡接，所述锁定孔（3）可拆卸连接伸缩保护盒（4）。

2.根据权利要求1所述的一种mosfet器件，其特征在于：所述卡接块（2）底部设有不干胶，通过所述不干胶连接所述mosfet本体（1）。

3.根据权利要求1所述的一种mosfet器件，其特征在于：所述卡接块（2）一端开有卡接槽（21），所述卡接槽（21）内部设有解锁件（22），所述卡接块（2）另一端开有凸形滑槽（23），所述凸形滑槽（23）匹配连接锁定块（24），所述锁定块（24）插接所述卡接槽（21）。

4.根据权利要求3所述的一种mosfet器件，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨兵兵，张世隆，汪学丽，
申请(专利权)人：上海东沅集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：