【技术实现步骤摘要】
本技术涉及薄膜沉积，尤其是涉及一种原子层沉积设备。
技术介绍
1、相关技术中，原子层沉积(atomic layer deposition或ald)技术由于具有沉积均匀性好，台阶覆盖率高，沉积厚度精准可控，膜质高，杂质少等优点被广泛应用于电子器件和光学元件制造等领域。一般的，原子层沉积加工过程中包括多种反应物，当其中一种反应物进入反应腔室与衬底发生表面化学反应后，多余反应物和副产物被冲洗干净，之后再使另一种反应物再进入反应腔室在衬底表面进行进一步化学反应，完成一个反应循环。这样循环往复，完成指定厚度的原子层沉积。
2、在一些情况中，对基片上镀膜的时候，需要在基片上形成多种不同类型的薄膜。现有的原子层沉积设备通常只能够在基片上镀一种类型的膜。当需要对基片上镀不同类型的薄膜时，只能够使用多个原子层沉积设备对基片镀膜。因此，这会导致镀膜的成本过高。
技术实现思路
1、本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术提出一种原子层沉积设备，能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。
2、根据本技术的实施例的原子层沉积设备，包括：
3、主体，具有反应腔，所述反应腔包括多个反应区，各所述反应区用于在基片上镀膜，且通入各反应区内的反应气体各不相同；
4、承载台，设置于所述反应腔中，所述承载台用于放置所述基片；
5、驱动组件，连接于所述承载台，所述驱动组件能够驱动所述承载台带动所述基片运动，以使所述基片在各所述反应区内
6、根据本技术实施例的原子层沉积设备，至少具有如下有益效果：当主体的反应腔包括多个反应区后，反应区用于在基片上镀膜，由于通入各反应区的反应气体各不相同，因此，驱动组件驱动承载台运动，基片经过不同的反应区后，基片上就会有不同类型的薄膜。如此，原子层沉积设备能够在基片上镀不同类型的膜，从而有效降低镀膜的成本。
7、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区。
8、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述反应区设置有三个，三个所述反应区分别为第一反应区、第二反应区和第三反应区，沿第一方向，所述进样区和所述第一反应区间隔设置，沿第二方向，所述第二反应区和所述第三反应区间隔设置，且所述进样区设置于所述第二反应区和所述第三反应区之间，所述第一方向和所述第二方向垂直。
9、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述驱动组件包括第一直线电机、第二直线电机和第三直线电机，所述承载台设置有三个，三个所述承载台分别为第一承载台、第二承载台和第三承载台，所述第一直线电机连接于所述第一承载台，所述第二直线电机连接于所述第二承载台，所述第三直线电机连接于所述第三承载台，所述第一直线电机用于驱动所述第一承载台沿所述第一方向运动，以使所述第一承载台在所述进样区和所述第一反应区之间往复运动，所述第二直线电机和所述第三直线电机沿所述第二方向间隔设置，所述第二直线电机用于驱动所述第二承载台沿所述第二方向运动，以使所述第二承载台在所述进样区和所述第二反应区之间往复运动，所述第三直线电机用于驱动所述第三承载台沿所述第二方向运动，以使所述第三承载台在所述进样区和所述第三反应区之间往复运动。
10、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台设置有多个，所述升降机构用于使所述基片升降，以使所述基片能够放置在任意一个所述承载台上。
11、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述升降机构包括顶针和驱动件，所述顶针用于抵持所述基片，所述驱动件连接于所述顶针，所述驱动件能够使所述顶针升降，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片上升时，所述基片能够离开所述承载台，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片下降时，所述基片能够放置在所述承载台上。
12、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述承载台设置有避让孔，所述避让孔呈条形，当所述承载台位于所述进样区处时，所述避让孔朝向所述进样区的一端具有开口，以使所述顶针进入所述避让孔以抵接于所述基片。
13、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述主体包括多个上盖和多个下盖，每一所述上盖和一个所述下盖连接，以形成所述反应区。
14、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括进气装置和抽气装置，所述进气装置和所述抽气装置均连通于所述反应区，所述进气装置用于向所述反应腔内通入所述反应气体，所述抽气装置用于抽出所述反应腔内的所述反应气体，所述原子层沉积设备包括隔离装置，所述隔离装置连通于所述反应区，所述隔离装置用于向所述反应区内通入惰性气体，以隔离相邻两个所述反应区内的所述反应气体。
15、根据本技术的一些实施例的原子层沉积设备，所述上盖设置有连通于所述反应区的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和所述进气装置连通，所述第二进气口和所述隔离装置连通，所述第二进气口围绕于所述第一进气口的外围。
16、本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。
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1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应区设置有三个，三个所述反应区分别为第一反应区、第二反应区和第三反应区，沿第一方向，所述进样区和所述第一反应区间隔设置，沿第二方向，所述第二反应区和所述第三反应区间隔设置，且所述进样区设置于所述第二反应区和所述第三反应区之间，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述驱动组件包括第一直线电机、第二直线电机和第三直线电机，所述承载台设置有三个，三个所述承载台分别为第一承载台、第二承载台和第三承载台，所述第一直线电机连接于所述第一承载台，所述第二直线电机连接于所述第二承载台，所述第三直线电机连接于所述第三承载台，所述第一直线电机用于驱动所述第一承载台沿所述第一方向运动，以使所述第一承载台在所述进样区和所述第
5.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台设置有多个，所述升降机构用于使所述基片升降，以使所述基片能够放置在任意一个所述承载台上。
6.根据权利要求5所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述升降机构包括顶针和驱动件，所述顶针用于抵持所述基片，所述驱动件连接于所述顶针，所述驱动件能够使所述顶针升降，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片上升时，所述基片能够离开所述承载台，当所述驱动件驱动所述顶针抵持所述基片下降时，所述基片能够放置在所述承载台上。
7.根据权利要求6所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述承载台设置有避让孔，所述避让孔呈条形，当所述承载台位于所述进样区处时，所述避让孔朝向所述进样区的一端具有开口，以使所述顶针进入所述避让孔以抵接于所述基片。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述主体包括多个上盖和多个下盖，每一所述上盖和一个所述下盖连接，以形成所述反应区。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备包括进气装置和抽气装置，所述进气装置和所述抽气装置均连通于所述反应区，所述进气装置用于向所述反应腔内通入所述反应气体，所述抽气装置用于抽出所述反应腔内的所述反应气体，所述原子层沉积设备包括隔离装置，所述隔离装置连通于所述反应区，所述隔离装置用于向所述反应区内通入惰性气体，以隔离相邻两个所述反应区内的所述反应气体。
10.根据权利要求9所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述上盖设置有连通于所述反应区的第一进气口和第二进气口，所述第一进气口和所述进气装置连通，所述第二进气口和所述隔离装置连通，所述第二进气口围绕于所述第一进气口的外围。
...【技术特征摘要】
1.原子层沉积设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应腔还包括进样区，所述进样区用于供所述基片进入所述反应腔，所述驱动组件能够驱动所述承载台运动，以使所述承载台从所述进样区运动至任一所述反应区。
3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应区设置有三个，三个所述反应区分别为第一反应区、第二反应区和第三反应区，沿第一方向，所述进样区和所述第一反应区间隔设置，沿第二方向，所述第二反应区和所述第三反应区间隔设置，且所述进样区设置于所述第二反应区和所述第三反应区之间，所述第一方向和所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述驱动组件包括第一直线电机、第二直线电机和第三直线电机，所述承载台设置有三个，三个所述承载台分别为第一承载台、第二承载台和第三承载台，所述第一直线电机连接于所述第一承载台，所述第二直线电机连接于所述第二承载台，所述第三直线电机连接于所述第三承载台，所述第一直线电机用于驱动所述第一承载台沿所述第一方向运动，以使所述第一承载台在所述进样区和所述第一反应区之间往复运动，所述第二直线电机和所述第三直线电机沿所述第二方向间隔设置，所述第二直线电机用于驱动所述第二承载台沿所述第二方向运动，以使所述第二承载台在所述进样区和所述第二反应区之间往复运动，所述第三直线电机用于驱动所述第三承载台沿所述第二方向运动，以使所述第三承载台在所述进样区和所述第三反应区之间往复运动。
5.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述原子层沉积设备还包括升降机构，所述承载台...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市原速光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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