【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体制造设备，具体涉及一种pvd腔室结构。
技术介绍
1、pvd是物理气相沉积工艺，指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子从真空源中转移到目标基底表面，以形成薄膜的一种技术。它可以将金属、化合物、非金属等多种材料镀在物体表面，从而制造出各种不同的性质和用途的薄膜。在半导体工艺生产中，pvd工艺尤为常见，但传统的pvd设备在烧靶过程中，溅射膜层选择沉积在芯片上，从而造成较多的芯片需要清洗处理，从而造成不必要的浪费。
技术实现思路
1、针对现有技术中存在的不足，本技术的目的在于提供一种结构简单、使用方便的pvd腔室结构，可避免pvd烧靶过程中膜层沉积在芯片，从而节省了芯片，省略了芯片清洗工作，提高工作效率，减少成本。
2、为实现上述目的，本技术的技术方案为：一种pvd腔室结构，包括圆柱体下腔室、圆柱体上腔室、靶材、圆环遮挡板、第一承载单元和第二承载单元，所述靶材安装在圆柱体上腔室的底部，圆柱体下腔室位于靶材下方，圆环遮挡板和第一承载单元均设置在圆柱体下腔室内，圆环遮挡板位于第一承载单元的上方，圆柱体下腔室的侧部设有半圆柱体存储腔，半圆柱体存储腔与圆柱体下腔室连通，第二承载单元连接在半圆柱体存储腔中。
3、进一步的，所述腔室结构还包括支撑杆、定位杆和气缸，圆柱体下腔室的底面上均匀安装有四个支撑杆，定位杆的一端与支撑杆的顶面连接，定位杆的另一端与圆环遮挡板的底面固定连接，圆柱体下腔室底面设有第二圆孔，气缸套接在第二圆孔中，气缸的活动端与第一承载单元的底
4、进一步的，所述腔室结构还包括第一伺服电机和圆形遮挡块，第二承载单元包括环形承载单元本体，环形承载单元本体顶面设有环形凹槽，圆形遮挡块放置于环形凹槽中，环形承载单元本体侧面设有第二长方形手臂，第一伺服电机位于半圆柱体存储腔的外部，第一伺服电机的输出轴伸入到半圆柱体存储腔中与第二长方形手臂连接。
5、进一步的，所述腔室结构还包括圆柱体温控单元和圆柱体加热平台，圆柱体下腔室底面中心设有第一圆孔，圆柱体温控单元套接在第一圆孔并伸入到圆柱体下腔室中，圆柱体加热平台位于圆柱体下腔室内安装在圆柱体温控单元顶部，圆柱体加热平台位于第一承载单元的下方。
6、进一步的，所述腔室结构还包括第二伺服电机、第一皮带、转轮、丝杠和丝杠螺母，丝杠螺母固定连接在圆柱体温控单元的侧部，丝杠与丝杠螺母配合，转轮固定连接在丝杠的顶部，第二伺服电机安装在圆柱体下腔室的底面，第二伺服电机通过第一皮带与转轮连接。
7、进一步的，所述腔室结构还包括旋转轴、磁铁、马达和第二皮带，马达固定安装在圆柱体上腔室的顶面，磁铁位于圆柱体上腔室内，旋转轴的一端与磁铁连接，旋转轴的另一端穿过圆柱体上腔室的顶面通过第二皮带与马达连接；圆柱体上腔室上安装有转速侦测器。圆柱体上腔室顶面安装有保护罩，马达、转速侦测器均位于保护罩内。
8、进一步的，所述第一承载单元包括圆环承载单元本体，圆环承载单元本体侧面固定有第一长方形手臂，第一长方形手臂与气缸活动连接，圆环承载单元本体设有缺口，圆环承载单元本体顶面均匀固定有四个长方体承载柱。
9、进一步的，所述长方体承载柱包括长方体承载柱本体，长方体承载柱本体顶面固定有四棱台定位块，四棱台定位块侧面设有长方体通槽，长方体承载柱本体顶面固定有弧形弹片，长方体通槽侧面设有四棱台通槽和四棱台卡键。
10、进一步的，所述圆环遮挡板包括圆环遮挡板本体，圆环遮挡板本体底面固定有环形遮挡板，定位杆均匀的固定于圆环遮挡板本体底面；所述定位杆包括长方体定位杆本体，长方体定位杆本体固定有圆台定位块，圆台定位块底面中心设有圆锥凹槽，圆台定位块底面边缘固定环形弹垫，圆台定位块侧面固定有长方体键，长方体键上固定有三棱柱凸起；所述支撑杆包括长方体支撑杆本体，长方体支撑杆本体顶面设有圆台凹槽，圆台定位块与圆台凹槽配合，圆台凹槽底面中心固定有圆锥凸起，圆锥凸起与圆锥凹槽配合。
11、进一步的，所述四棱台卡键侧面固定有长方体滑键，长方体滑键顶面固定有三棱柱键，长方体承载柱顶面设有长方体凹槽，长方体凹槽与长方体通槽连通，长方体凹槽内设置有三棱柱滑键，弧形弹片一端固定于长方体承载柱本体顶面，弧形弹片另一端固定于三棱柱滑键侧面。
12、采用本技术技术方案的优点为：
13、1、本技术pvd腔室结构简单，可避免pvd烧靶过程中膜层沉积在芯片，从而节省了芯片，省略了芯片清洗工作，提高工作效率，减少成本。
14、2、本技术的圆形遮挡块放置于环形凹槽，保障了圆形遮挡块位置的恒定，并实现了圆形遮挡块与圆环遮挡板本体的接触；同时，由于圆形遮挡块与弧形弹片压接，避免了圆形遮挡块与圆环遮挡板本体接触过程中动量过大造成的溅射膜层掉落；最后腔室开始烧靶，溅射层沉积在圆形遮挡块和圆环遮挡板本体的表面，避免了膜层沉积于芯片，从而节省了芯片，省略了芯片清洗工作，当腔室正常工作时，圆形遮挡块存放于半圆柱体存储腔，不影响芯片正常镀膜。
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1.一种PVD腔室结构，其特征在于：包括圆柱体下腔室(1)、圆柱体上腔室(20)、靶材(26)、圆环遮挡板(3)、第一承载单元(9)和第二承载单元(12)，所述靶材(26)安装在圆柱体上腔室(20)的底部，圆柱体下腔室(1)位于靶材(26)下方，圆环遮挡板(3)和第一承载单元(9)均设置在圆柱体下腔室(1)内，圆环遮挡板(3)位于第一承载单元(9)的上方，圆柱体下腔室(1)的侧部设有半圆柱体存储腔(11)，半圆柱体存储腔(11)与圆柱体下腔室(1)连通，第二承载单元(12)连接在半圆柱体存储腔(11)中。
2.如权利要求1所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括支撑杆(2)、定位杆(4)和气缸(8)，圆柱体下腔室(1)的底面上均匀安装有四个支撑杆(2)，定位杆(4)的一端与支撑杆(2)的顶面连接，定位杆(4)的另一端与圆环遮挡板(3)的底面固定连接，圆柱体下腔室(1)底面设有第二圆孔(7)，气缸(8)套接在第二圆孔(7)中，气缸(8)的活动端与第一承载单元(9)的底部连接。
3.如权利要求1或2所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述腔室
4.如权利要求2所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括圆柱体温控单元(5)和圆柱体加热平台(6)，圆柱体下腔室(1)底面中心设有第一圆孔(14)，圆柱体温控单元(5)套接在第一圆孔(14)并伸入到圆柱体下腔室(1)中，圆柱体加热平台(6)位于圆柱体下腔室(1)内安装在圆柱体温控单元(5)顶部，圆柱体加热平台(6)位于第一承载单元(9)的下方。
5.如权利要求4所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括第二伺服电机(15)、第一皮带(16)、转轮(17)、丝杠(18)和丝杠螺母(19)，丝杠螺母(19)固定连接在圆柱体温控单元(5)的侧部，丝杠(18)与丝杠螺母(19)配合，转轮(17)固定连接在丝杠(18)的顶部，第二伺服电机(15)安装在圆柱体下腔室(1)的底面，第二伺服电机(15)通过第一皮带(16)与转轮(17)连接。
6.如权利要求1所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括旋转轴(22)、磁铁(23)、马达(24)和第二皮带(25)，马达(24)固定安装在圆柱体上腔室(20)的顶面，磁铁(23)位于圆柱体上腔室(20)内，旋转轴(22)的一端与磁铁(23)连接，旋转轴(22)的另一端穿过圆柱体上腔室(20)的顶面通过第二皮带(25)与马达(24)连接；圆柱体上腔室(20)上安装有转速侦测器(29)。
7.如权利要求2所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述第一承载单元(9)包括圆环承载单元本体(91)，圆环承载单元本体(91)侧面固定有第一长方形手臂(92)，第一长方形手臂(92)与气缸(8)活动连接，圆环承载单元本体(91)设有缺口(94)，圆环承载单元本体(91)顶面均匀固定有四个长方体承载柱(93)。
8.如权利要求7所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述长方体承载柱(93)包括长方体承载柱本体(931)，长方体承载柱本体(931)顶面固定有四棱台定位块(932)，四棱台定位块(932)侧面设有长方体通槽(933)，长方体承载柱本体(931)顶面固定有弧形弹片(934)，长方体通槽(933)侧面设有四棱台通槽(935)和四棱台卡键(936)。
9.如权利要求8所述的一种PVD腔室结构，其特征在于：所述圆环遮挡板(3)包括圆环遮挡板本体(31)，圆环遮挡板本体(31)底面固定有环形遮挡板(32)，定位杆(4)均匀的固定于圆环遮挡板本体(31)底面；所述定位杆(4)包括长方体定位杆本体(41)，长方体定位杆本体(41)固定有圆台定位块(42)，圆台定位块(42)底面中心设有圆锥凹槽(44)，圆台定位块(42)底面边缘固定环形弹垫(43)，圆台定位块(42)侧面固定有长方体键(45)，长方体键(45)上固定有三棱柱凸起(46)；所述支撑杆(2)包括长方体支撑杆本体(421)，长方体支撑杆本体(421)顶面设有圆台凹槽(422)，圆台定位块(42)与圆台凹槽(422)配合，圆台凹槽(422)底面中心固定有圆锥凸起(...
【技术特征摘要】
1.一种pvd腔室结构，其特征在于：包括圆柱体下腔室(1)、圆柱体上腔室(20)、靶材(26)、圆环遮挡板(3)、第一承载单元(9)和第二承载单元(12)，所述靶材(26)安装在圆柱体上腔室(20)的底部，圆柱体下腔室(1)位于靶材(26)下方，圆环遮挡板(3)和第一承载单元(9)均设置在圆柱体下腔室(1)内，圆环遮挡板(3)位于第一承载单元(9)的上方，圆柱体下腔室(1)的侧部设有半圆柱体存储腔(11)，半圆柱体存储腔(11)与圆柱体下腔室(1)连通，第二承载单元(12)连接在半圆柱体存储腔(11)中。
2.如权利要求1所述的一种pvd腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括支撑杆(2)、定位杆(4)和气缸(8)，圆柱体下腔室(1)的底面上均匀安装有四个支撑杆(2)，定位杆(4)的一端与支撑杆(2)的顶面连接，定位杆(4)的另一端与圆环遮挡板(3)的底面固定连接，圆柱体下腔室(1)底面设有第二圆孔(7)，气缸(8)套接在第二圆孔(7)中，气缸(8)的活动端与第一承载单元(9)的底部连接。
3.如权利要求1或2所述的一种pvd腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括第一伺服电机(10)和圆形遮挡块(13)，第二承载单元(12)包括环形承载单元本体(121)，环形承载单元本体(121)顶面设有环形凹槽(122)，圆形遮挡块(13)放置于环形凹槽(122)中，环形承载单元本体(121)侧面设有第二长方形手臂(123)，第一伺服电机(10)位于半圆柱体存储腔(11)的外部，第一伺服电机(10)的输出轴伸入到半圆柱体存储腔(11)中与第二长方形手臂(123)连接。
4.如权利要求2所述的一种pvd腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括圆柱体温控单元(5)和圆柱体加热平台(6)，圆柱体下腔室(1)底面中心设有第一圆孔(14)，圆柱体温控单元(5)套接在第一圆孔(14)并伸入到圆柱体下腔室(1)中，圆柱体加热平台(6)位于圆柱体下腔室(1)内安装在圆柱体温控单元(5)顶部，圆柱体加热平台(6)位于第一承载单元(9)的下方。
5.如权利要求4所述的一种pvd腔室结构，其特征在于：所述腔室结构还包括第二伺服电机(15)、第一皮带(16)、转轮(17)、丝杠(18)和丝杠螺母(19)，丝杠螺母(19)固定连接在圆柱体温控单元(5)的侧部，丝杠(18)与丝杠螺母(19)配合，转轮(17)固定连接在丝杠(18)的顶部，第二伺服电机(15)安装在圆柱体下腔室(1)的底面，第二伺服电机(15)通过第一皮带(16)与转轮(17)连接。
6.如权利要求1所述的一种pvd腔室...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫学军，孙晓东，顾勇，叶首宝，徐会杰，许浩宾，程飞，尤杨，
申请(专利权)人：安徽华矽半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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